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J-GLOBAL ID：201502210944513536   整理番号：15A1038701

新規の低コスト2段階電気化学堆積法を用いたコア/シェルZnO/ZnSeナノワイヤの合成

Synthesis of core/shell ZnO/ZnSe nanowires using novel low cost two-steps electrochemical deposition technique

著者 (11件)： GHOUL M. (Lab. Photovoltaieque, Centre de Recherches et des Technologies de l’Energie Technopole BorjCedria, Bp 95, Hammammlif ...) ,  BRAIEK Z. (Lab. Photovoltaieque, Centre de Recherches et des Technologies de l’Energie Technopole BorjCedria, Bp 95, Hammammlif ...) ,  BRAYEK A. (Lab. Photovoltaieque, Centre de Recherches et des Technologies de l’Energie Technopole BorjCedria, Bp 95, Hammammlif ...) ,  BRAYEK A. (ITODYS, Univ. Paris Diderot, Sorbonne Paris Cite, CNRS UMR - 7086, 75205 Paris, FRA) ,  BEN Assaker I. (Lab. Photovoltaieque, Centre de Recherches et des Technologies de l’Energie Technopole BorjCedria, Bp 95, Hammammlif ...) ,  KHALIFA N. (Lab. Photovoltaieque, Centre de Recherches et des Technologies de l’Energie Technopole BorjCedria, Bp 95, Hammammlif ...) ,  BEN Naceur J. (Lab. Photovoltaieque, Centre de Recherches et des Technologies de l’Energie Technopole BorjCedria, Bp 95, Hammammlif ...) ,  SOUISSI A. (Lab. Photovoltaieque, Centre de Recherches et des Technologies de l’Energie Technopole BorjCedria, Bp 95, Hammammlif ...) ,  LAMOUCHI A. (Lab. Photovoltaieque, Centre de Recherches et des Technologies de l’Energie Technopole BorjCedria, Bp 95, Hammammlif ...) ,  AMMAR S. (ITODYS, Univ. Paris Diderot, Sorbonne Paris Cite, CNRS UMR - 7086, 75205 Paris, FRA) ,  CHTOUROU R. (Lab. Photovoltaieque, Centre de Recherches et des Technologies de l’Energie Technopole BorjCedria, Bp 95, Hammammlif ...)
資料名： Journal of Alloys and Compounds  (Journal of Alloys and Compounds)
巻： 647  ページ： 660-664  発行年： 2015年10月25日 
JST資料番号： D0083A  ISSN： 0925-8388  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文は,SnドーピングIn₂O₃(ITO)/ガラス基板上にZnO/ZnSeコア/シェルナノワイヤを成長する為に2段階電気化学堆積プロトコルのオリジナルな使用に注目した報告である。ナノワイヤの良好なアラインメントを,ZnOナノワイヤ側面上にZnSe電着後の表面粗さと走査電子顕微鏡特性化技法によって実証した。X線回折パターン及びRamanスペクトルは,ZnOがウルツ鉱型結晶(W)構造c軸に沿って成長したと推定させる。ZnSeの価電子バンドとZnOの伝導バンド間のII型界面遷移の存在を,紫外可視分光法によって裏付けられた。開発されたナノ構造の吸収エネルギーが近赤外線迄延ばされること,即ち光起電力応用に良く助言されることが立証された。Copyright 2015 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *電着 ,  化学合成 ,  *ナノワイヤ ,  *セレン化亜鉛 ,  *酸化亜鉛 ,  光起電力 ,  プロトコル ,  アラインメント ,  表面粗さ ,  キャラクタリゼーション ,  Ramanスペクトル ,  結晶構造 ,  硫化鉱物 ,  ウルツ鉱型結晶 ,  スペクトロスコピー ,  紫外可視吸収スペクトル ,  価電子バンド ,  伝導バンド ,  近赤外線 ,  コアシェル構造
準シソーラス用語： 二段階合成 ,  特性化 ,  *電気化学堆積

分類 (2件)： 光伝導,光起電力  (BM03050J) ,  電気化学反応  (CB07050F)

タイトルに関連する用語 (7件)： 段階 ,  電気化学堆積 ,  コア ,  シェル ,  ZnO ,  ZnSe ,  ナノワイヤ