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J-GLOBAL ID：201502210952579457   整理番号：15A1321794

コストパフォーマンスの高い太陽電池用の溶液処理可能なCu₂SnS₃薄膜: キャラクタリゼーション

Solution processible Cu₂SnS₃ thin films for cost effective photovoltaics: Characterization

著者 (3件)： DIAS Sandra (Materials Res. Centre, Indian Inst. of Sci., Bangalore, Karnataka, 560012, IND) ,  MURALI Banavoth (Materials Res. Centre, Indian Inst. of Sci., Bangalore, Karnataka, 560012, IND) ,  KRUPANIDHI S.B. (Materials Res. Centre, Indian Inst. of Sci., Bangalore, Karnataka, 560012, IND)
資料名： Materials Chemistry and Physics  (Materials Chemistry and Physics)
巻： 167  ページ： 309-314  発行年： 2015年11月01日 
JST資料番号： E0934A  ISSN： 0254-0584  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Cu₂SnS₃ (CTS)薄膜を簡単な溶液プロセスゾルゲル法と低温アニーリングにより堆積した。フーリエ変換赤外分光器(FTIR)を用いてCu-Sn-チオ尿素錯体形成を解析した。初期前駆体溶液の種々相転移と堆積温度範囲を熱重量分析(TGA)と示差走査熱量測定(DSC)により測定した。X線回折(XRD)によりCTSアニール薄膜が正方相を形成することが判明した。Raman散乱スペクトルから,更に正方相形成が確認され,その他のいかなる二次相も見られなかった。薄膜のモルフォロジーと組成分析を,それぞれ走査型電子顕微鏡(SEM)とエネルギー分散分光(EDS)により調べた。原子間力顕微鏡(AFM)により表面ラフネスを1.3nmと見積もった。吸収係数は10⁴cm^-1であった。またバンドギャップは1.3eVであり,このことはCTSが太陽電池への応用の可能性を秘めていることを示唆している。薄膜の屈折率,吸収係数,及び比誘電率を分光エリプソメトリーにより測定した。ホール効果測定により2×10¹⁸cm^-3のホール濃度,9S/cmの電気伝導度,及び29cm²/Vのホール移動度を持つp型性質のフィルムであることがわかった。本研究で明らかにされたCTSの特徴からCTSは薄膜太陽電池の有望な吸収層材料と言える。Copyright 2015 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *太陽電池 ,  銅化合物 ,  スズ化合物 ,  硫黄化合物 ,  銅錯体 ,  スズ錯体 ,  ゾル-ゲル法 ,  焼なまし ,  FTIR分光法 ,  相転移 ,  熱重量分析 ,  示差走査熱量測定 ,  X線回折 ,  Raman散乱 ,  金属薄膜 ,  走査電子顕微鏡 ,  スペクトロスコピー ,  原子間力顕微鏡 ,  モルフォロジー ,  分析 ,  バンドギャップ ,  偏光解析法 ,  屈折率 ,  誘電率 ,  比率 ,  吸収係数 ,  Hall効果 ,  電気伝導率 ,  Hall移動度 ,  P型半導体 ,  *半導体薄膜 ,  表面粗さ ,  エネルギー分散X線分光分析 ,  ウレア化合物 ,  有機硫黄化合物
準シソーラス用語： Fourier変換赤外分光 ,  アニーリング処理 ,  音吸収係数 ,  合金薄膜 ,  組成分析 ,  走査型電子顕微鏡 ,  電気伝導度 ,  *薄膜太陽電池 ,  比誘電率 ,  分光エリプソメトリ ,  EDS【分光分析】

分類 (3件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  太陽電池  (NC03084O) ,  電池一般  (YB04010O)

物質索引 (1件)： チオ尿素

タイトルに関連する用語 (5件)： コストパフォーマンス ,  太陽電池 ,  溶液処理 ,  薄膜 ,  キャラクタリゼーション