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J-GLOBAL ID：201502210960564051   整理番号：15A1189203

遷移金属ジカルコゲナイド電界効果デバイスの電子輸送特性:表面および界面効果

Electronic transport properties of transition metal dichalcogenide field-effect devices: surface and interface effects

著者 (3件)： SCHMIDT Hennrik (Graphene Res. Centre, National Univ. of Singapore, 6 Sci. Drive 2, Singapore 117546) ,  GIUSTINIANO Francesco ,  EDA Goki
資料名： Chemical Society Reviews  (Chemical Society Reviews)
巻： 44  号： 21  ページ： 7715-7736  発行年： 2015年11月07日 
JST資料番号： D0479B  ISSN： 0306-0012  CODEN： CSRVBR  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 二次元(2D)材料研究における関心の最近の急増は,この新しい種類の材料に対するユニークな物理的および化学的現象と,その技術的可能性の広範な探索につながっている。MoS₂やWSe₂などの6族遷移金属ジカルコゲナイド(TMD)の原子的薄層は,その2D性質のために非常に効率的な静電制御を可能にする極めて安定な半導体である。2D TMDに基づく電界効果トランジスタ(FET)は,新規な電子的および化学的センシング用途のための基本的なビルディングブロックである。ここでは,最先端のTMDベースのFETをレビューし,これらの系において重要な役割を果たす界面および表面効果の現在の理解をまとめる。制御されたドーピングが,これらの材料の電気的応答を調整し,高性能デバイスを実現するためのいかに鍵であるかについて考察する。本レビューの第一部は,2D TMDにおけるゲート変調電荷輸送の一部の基本的な特徴に焦点を当てる。文献で報告されたデータに基づき,表面と界面の役割を批判的に評価し,キャリア移動度の実験と理論値との間に観察された相違を説明する。第二部は,これらの系における所望のドーピングを達成するための,様々な非共有結合性戦略を紹介する。この方向での進展を明らかにするために,電荷移動ドーピングと静電安定化に基づくガスセンサを紹介する。表面および界面化学による,調整したTMDベースの電界効果デバイスの実現についての展望で,本レビューを結論付ける。Copyright 2015 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST

シソーラス用語： *半導体素子 ,  *輸送現象 ,  *カルコゲン化物 ,  *遷移金属化合物 ,  *効果 ,  界面 ,  硫化モリブデン ,  セレン化物 ,  タングステン化合物 ,  FET【トランジスタ】 ,  キャリア移動度 ,  ドーピング
準シソーラス用語： *電界効果デバイス ,  *電子輸送 ,  *表面効果 ,  セレン化タングステン

分類 (2件)： 塩  (CD01050V) ,  固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (5件)： 遷移金属ジカルコゲナイド ,  電界効果デバイス ,  電子 ,  輸送特性 ,  界面