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J-GLOBAL ID：201502210977501070   整理番号：15A1310182

場支援超線形閾値セレクタを利用したクロスポイント抵抗性RAM

Cross-Point Resistive RAM Based on Field-Assisted Superlinear Threshold Selector

著者 (4件)： JO Sung Hyun (Crossbar Inc., CA, USA) ,  KUMAR Tanmay (Crossbar Inc., CA, USA) ,  NARAYANAN Sundar (Crossbar Inc., CA, USA) ,  NAZARIAN Hagop (Crossbar Inc., CA, USA)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 62  号： 11  ページ： 3477-3481  発行年： 2015年11月 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 抵抗性RAM(RRAM)は,優れたスケーラビリティ,高速演算,低電力消費などの特性を備えた,有望な不揮発性メモリである。RRAM集積方式は1T1Rか1S1Rに大別できるが,1S1R二端子集積の最大の課題はクロスポイントメモリアレイにおける漏洩電流の抑圧である。この一対策として,二端子セレクタによるRRAM集積(1S1R構造)は種々の利点を備えるが,依然として高集積RRAMには高選択性,高電流密度,低温製作などの性能が不足する。本論文ではまず,10¹¹のセレクタ耐久性,セレクタOFF状態電流低減,などの追加条件を充足可能な,筆者らが先に提案した場支援超線形閾値(FAST)セレクタデバイスを利用した1S1R集積を述べた。この素子を,130nm CMOSプロセスにより,標準プロセス機器の修正なしに試作し,測定結果を示した。

シソーラス用語： *RAM【メモリ】 ,  電気抵抗 ,  不揮発性メモリ ,  選別器 ,  *回路設計 ,  耐久性 ,  閾値 ,  選択性 ,  電流密度 ,  アレイ回路 ,  記憶素子 ,  半導体プロセス ,  電気的性質 ,  漏れ電流
準シソーラス用語： *RRAM ,  *集積回路設計 ,  メモリアレイ ,  CMOSプロセス

分類 (2件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  記憶装置  (JC04060F)

タイトルに関連する用語 (8件)： 場 ,  支援 ,  線形 ,  閾値 ,  セレクタ ,  ポイント ,  抵抗性 ,  RAM