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J-GLOBAL ID：201502211034918962   整理番号：15A0851584

ランタニド-イオン-修飾DNA結晶の光学バンドギャップと正孔輸送特性

Optical Band Gap and Hall Transport Characteristics of Lanthanide-Ion-Modified DNA Crystals

著者 (10件)： DUGASANI Sreekantha Reddy (Sungkyunkwan Univ., Suwon, KOR) ,  HA Taewoo (Yonsei Univ., Seoul, KOR) ,  KIM Si Joon (Yonsei Univ., Seoul KOR) ,  GNAPAREDDY Bramaramba (Sungkyunkwan Univ., Suwon, KOR) ,  YOO Sanghyun (Sungkyunkwan Univ., Suwon, KOR) ,  LEE Keun Woo (Sungkyunkwan Univ., Suwon, KOR) ,  JUNG Tae Soo (Yonsei Univ., Seoul KOR) ,  KIM Hyun Jae (Yonsei Univ., Seoul KOR) ,  PARK Sung Ha (Sungkyunkwan Univ., Suwon, KOR) ,  KIM Jae Hoon (Yonsei Univ., Seoul, KOR)
資料名： Journal of Physical Chemistry C  (Journal of Physical Chemistry C)
巻： 119  号： 25  ページ： 14443-14449  発行年： 2015年06月25日 
JST資料番号： W1877A  ISSN： 1932-7447  CODEN： JPCCCK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 石英,シリカ基板上に成長したランタニドイオン(Ln³⁺)修飾DNA結晶複合体(Ln=Dy,Er,Eu,Gd,Nd,Tb)の光学バンドギャップ,Hall移動度の測定を行った。ランタニドイオン濃度の上昇に伴い,これらのDNA結晶複合体の光学バンドギャップは上昇挙動を示し,第二バンド開始はある濃度での極大プロフィールを示した。一方,Hall移動度とHall抵抗,磁気抵抗は特定ランタニドイオン濃度で低い値を示し,キャリア濃度は一定濃度での極大を示した。

シソーラス用語： *複合体 ,  *化学修飾 ,  *ランタノイド ,  *光学ギャップ ,  *Hall移動度 ,  電気抵抗 ,  磁気抵抗 ,  キャリア密度 ,  *濃度依存性 ,  *イオン濃度 ,  ナノ構造
準シソーラス用語： *DNA複合体 ,  *光学バンドギャップ ,  Hall抵抗 ,  キャリア濃度

分類 (2件)： 原子・分子のクラスタ  (BH09030O) ,  核酸一般  (EB04010U)

タイトルに関連する用語 (8件)： ランタニド ,  イオン ,  修飾 ,  DNA ,  結晶 ,  光学バンドギャップ ,  正孔 ,  輸送特性