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J-GLOBAL ID：201502211073597197   整理番号：15A1167942

Cs及びNF₃で活性化した負電子親和力のヒ化ガリウム光電陰極の高安定性

High stability of negative electron affinity gallium arsenide photocathodes activated with Cs and NF₃

著者 (13件)： CHANLEK N (Univ. Manchester, Manchester, GBR) ,  CHANLEK N (Cockcroft Inst., Warrington, GBR) ,  CHANLEK N (Synchrotron Light Res. Inst., Nakhon Ratchasima, THA) ,  HERBERT J D (Cockcroft Inst., Warrington, GBR) ,  HERBERT J D (Sci-Tech Daresbury, Warrington, GBR) ,  JONES R M (Univ. Manchester, Manchester, GBR) ,  JONES R M (Cockcroft Inst., Warrington, GBR) ,  JONES L B (Cockcroft Inst., Warrington, GBR) ,  JONES L B (Sci-Tech Daresbury, Warrington, GBR) ,  MIDDLEMAN K J (Cockcroft Inst., Warrington, GBR) ,  MIDDLEMAN K J (Sci-Tech Daresbury, Warrington, GBR) ,  MILITSYN B L (Cockcroft Inst., Warrington, GBR) ,  MILITSYN B L (Sci-Tech Daresbury, Warrington, GBR)
資料名： Journal of Physics. D. Applied Physics  (Journal of Physics. D. Applied Physics)
巻： 48  号： 37  ページ： 375102,1-5  発行年： 2015年09月23日 
JST資料番号： B0092B  ISSN： 0022-3727  CODEN： JPAPBE  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 負電子親和力(NEA)ヒ化ガリウム(GaAs)とGaAsベース光電陰極はいくつかの粒子加速器や光源に近年広く使用さるようになってきた。GaAs光電陰極のNEA状態は高いpドーピングした表面,超クリーンなGaAs表面上へのCsや酸化層(O₂かNF₃のいずれか)の蒸着を通して達成される。この論文では,筆者らは極低残留ガス圧においてCs及びNF₃で活性化したNEA GaAs光電陰極に及ぼすH,CH₂,N₂,CO,CO₂,及びO₂の影響を示した。筆者らはNF₃で活性化したGaAs光電陰極がガス被曝下においてO₂で活性化した光電陰極よりも安定であることを実験的に示した。この発見は光電陰極の開発とそれらの応用にとって重要な意味をもつ。正確な化学的メカニズムはまだこの論文の範囲外であり,将来の研究課題となるであろう。

シソーラス用語： *光電陰極 ,  *電子親和力 ,  *ヒ化ガリウム ,  セシウム ,  フッ化窒素 ,  蒸着 ,  安定性
準シソーラス用語： 光陰極 ,  負電子親和力

分類 (1件)： 固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (6件)： Cs ,  活性化 ,  負電子親和力 ,  ヒ化ガリウム ,  光電陰極 ,  安定性