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J-GLOBAL ID：201502211099531283   整理番号：15A1363914

ハイパワー深紫外LEDの進展

Progress of high-power deep-ultraviolet LEDs

著者 (8件)： FUJIOKA A. (Nichia Corp., Tokushima, JPN) ,  ASADA K. (Nichia Corp., Tokushima, JPN) ,  YAMADA H. (Nichia Corp., Tokushima, JPN) ,  OHTSUKA T. (Nichia Corp., Tokushima, JPN) ,  OGAWA T. (Nichia Corp., Tokushima, JPN) ,  KOSUGI T. (Nichia Corp., Tokushima, JPN) ,  KISHIKAWA D. (Nichia Corp., Tokushima, JPN) ,  MUKAI T. (Nichia Corp., Tokushima, JPN)
資料名： Proceedings of SPIE  (Proceedings of SPIE)
巻： 9363  ページ： 93631L.1-93631L.8  発行年： 2015年 
JST資料番号： D0943A  ISSN： 0277-786X  CODEN： PSISDG  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 深紫外発光ダイオード(LED)は,殺菌,センシング,および高分子硬化に利用できる可能性により大きな関心を惹いている。本論文では,高出力深紫外LEDについてレポートした。最初に,2シリーズデバイスを350mAの順電流で動作させた。筆者らは,255,280,および310nm LEDに対して,それぞれ,45.2,93.3,および65.8mWのパワーを測定した。次に,修正したエピタキシャル構造と電極パターンのシングルチップデバイスを評価した。ピーク波長,出力パワー,順電圧,および外部量子効率の値を示した。28nm LEDの70%寿命は45°Cの接合温度で3000時間以上と予測された。

シソーラス用語： *出力 ,  *発光ダイオード ,  *紫外線 ,  アルミニウム化合物 ,  ガリウム化合物 ,  *窒化物 ,  *化合物半導体 ,  半導体チップ ,  エピタクシー ,  量子効率 ,  接合部 ,  温度 ,  ICパッケージ ,  電流電圧特性 ,  高出力 ,  窒化物半導体 ,  深紫外発光ダイオード ,  窒化アルミニウムガリウム
準シソーラス用語： 深紫外LED ,  AlGaN ,  外部量子効率 ,  接合温度

分類 (1件)： 発光素子  (NC03082G)

タイトルに関連する用語 (3件)： ハイパワー ,  深紫外LED ,  進展