文献

J-GLOBAL ID：201502211114678856   整理番号：15A0743417

黒鉛状シート上の窒化ガリウムナノチューブの周波数モードならびにGHz発振器としての二重層窒化ガリウムナノチューブ

Frequency Modes of Gallium Nitride Nanotubes on Graphitic Sheet and Double Walled Gallium Nitride Nanotubes as GHz Oscillator

著者 (4件)： KUMAR Dinesh (Punjab Univ., Punjab, IND) ,  VERMA Veena (Government Coll., Punjab, IND) ,  DHARAMVIR Keya (Panjab Univ., Chandigarh, IND) ,  BHATTI H. S. (Punjab Univ., Punjab, IND)
資料名： Journal of Computational and Theoretical Nanoscience  (Journal of Computational and Theoretical Nanoscience)
巻： 12  号： 3  ページ： 516-523  発行年： 2015年03月 
JST資料番号： W2377A  ISSN： 1546-1955  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： nmスケールの電気機械素子の開発に関する基礎研究の一環として,本論文では,黒鉛状シート上の窒化ガリウムナノチューブ(GaNNT)の周波数モード,ならびにGHz発振器としての二重層GaNNTを提示した。著者らは,2個の六方晶GaN(h-GaN)シートおよび窒化ガリウムナノチューブ(GaNNT)上でのGa原子とN原子との間の単純な指数関数ポテンシャルを用いて,h-GaN上のGaNNTについて種々の運動の周波数を計算した。その結果に基づいて,1)h-GaN表面上の単層GaNNTの運動に対して,障壁高さは,CNTの場合とほぼ等しいこと,2)h-GaN表面上のGaNNTの転がり運動は,事実上障壁が無いので,最も容易に起こること,3)二重層GaNNT内でのナノチューブ層間の相対運動に付随する障壁も計算したこと,などを記した。

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,  *ナノチューブ ,  *相対運動 ,  ナノ構造 ,  *超薄膜 ,  *ポテンシャル障壁 ,  動作 ,  発振器 ,  指数関数 ,  カーボンナノチューブ ,  ナノシート
準シソーラス用語： 多層ナノチューブ ,  単層ナノチューブ ,  転がり運動 ,  微小電気機械素子

分類 (2件)： 原子・分子のクラスタ  (BH09030O) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (6件)： 黒鉛 ,  窒化ガリウム ,  ナノチューブ ,  GHz ,  発振器 ,  二重層