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J-GLOBAL ID:201502211197335654   整理番号:15A1399654

光検出器材料として使用するPLD作製ZnO薄膜の構造的及び電子的構造間の相関

Correlation between structural and electrical properties of PLD prepared ZnO thin films used as a photodetector material
著者 (6件):
資料名:
巻: 359  ページ: 266-271  発行年: 2015年12月30日 
JST資料番号: B0707B  ISSN: 0169-4332  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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パルスレーザアブレーションにより作製した,一組の酸化亜鉛(ZnO)薄膜の電気的輸送特性を,30Kと300Kの温度において研究した。試料の構造的及び形態的特性に関する情報を,原子間力顕微鏡(AFM)及びX線回折(XRD)により得た。ZnO薄膜の表面形態及び光応答特性における大きな変動を,堆積温度の関数として観測した。堆積温度の上昇によって,表面形態は,微細結晶粒からより粗い結晶粒構造に変化し,正方晶ウルツ鉱型結晶構造を示した。時間分解光電流測定は,観測試料形態の関数として大きな変化を示した。約三桁大きい光電流値を,微細結晶粒構造に較べてより粗い結晶粒構造を示す試料で観測した。この結果を,伝導機構に影響を与え,光伝導率値及び光応答速度に影響を及ぼす”バルク”及び欠陥中心の両者の寄与によるとして解釈した。観測された減衰時間は,再結合に利用できる欠陥の表面局在中心の減少により,他の技術により成長させた膜と比較して非常に長かった。このように,試料モルフォロジーは,ZnOh薄膜における光伝導率を制御する重要なパラメータであるらしい。Copyright 2016 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.
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分類 (4件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
酸化物薄膜  ,  半導体の表面構造  ,  無機化合物の結晶構造一般  ,  光物性一般 

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