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J-GLOBAL ID：201502211208978993   整理番号：15A0406795

光電応用のためにNiを挿入したITO/Ni/AZO三層構造の光学的および電気的特性の増強

Enhanced optical and electrical properties of Ni inserted ITO/Ni/AZO tri-layer structure for photoelectric applications

著者 (4件)： KUMAR M. Melvin David (Dep. of Electrical Engineering, Incheon National Univ., Incheon 406772, KOR) ,  KIM Hyunki (Dep. of Electrical Engineering, Incheon National Univ., Incheon 406772, KOR) ,  PARK Yun Chang (Measurement and Analysis Div., National Nanofab Center (NNFC), Daejeon 305-806, KOR) ,  KIM Joondong (Dep. of Electrical Engineering, Incheon National Univ., Incheon 406772, KOR)
資料名： Materials Science & Engineering. B. Advanced Functional Solid-State Materials  (Materials Science & Engineering. B. Advanced Functional Solid-State Materials)
巻： 195  ページ： 84-89  発行年： 2015年05月 
JST資料番号： T0553A  ISSN： 0921-5107  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： それぞれ50nm厚のインジウムスズ酸化物(ITO),アルミニウムドープ酸化亜鉛(AZO)の間に5nmの厚さの薄いNi層を堆積した。Ni挿入三層構造(ITO/Ni/AZO)は5.51×10^-4Ωcmの低い抵抗率を示し,二層構造(ITO/AZO)の97.9×10^-4Ωcmより20倍近く小さい。ITOとAZOの間の薄いNi層はキャリア濃度,移動度と光応答挙動を増強し,ITO/Ni/AZOデバイスの性能指数(FOM)値はITO/AZOデバイスのそれよりも大きかった。ITO/Ni/AZO構造がITO/AZO二層構造のものに比べて広い波長範囲(~350~950nm)にわたって改善された量子効率を示し,光応答の増強をもたらした。これらの結果は,ITOとAZO層の間には5nmの厚さのNi層を挿入することによってITO/AZO構造の光学的,電気的および光応答特性が増強され得ることを示すCopyright 2015 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *酸化インジウムスズ ,  *ニッケル ,  *酸化亜鉛 ,  *アルミニウム ,  *ドーピング ,  構造 ,  *光学的性質 ,  *電気的性質 ,  電気抵抗率 ,  キャリア密度 ,  キャリア移動度 ,  応答 ,  量子効率 ,  光電素子 ,  性能指数 ,  透過率
準シソーラス用語： 光応答 ,  *三層構造

分類 (3件)： その他の無機化合物の電気伝導  (BM03044O) ,  光物性一般  (BM08010A) ,  光電デバイス一般  (NC03081P)

タイトルに関連する用語 (9件)： 光電 ,  応用 ,  Ni ,  ITO ,  Azo ,  層構造 ,  光学 ,  電気的特性 ,  増強