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J-GLOBAL ID：201502211210205706   整理番号：15A1135515

シリコン・カーバイド(SiC)パワー半導体が推進する省エネルギー

Energy Saving Driven by SiC Power Semiconductors

著者 (2件)： SATO Katsumi (Mitsubishi Electric Corp.) ,  YAMADA Junji (Mitsubishi Electric Corp.)
資料名： Mitsubishi Electric Advance  (Mitsubishi Electric Advance)
巻： 151  ページ： 2-5  発行年： 2015年09月 
JST資料番号： Z0836A  ISSN： 1345-3041  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 三菱電機が1990年代以降開発に取組んできたSiCデバイスの現在の開発状況および開発動向を述べ,ハイブリッドSiCモジュールやフルSiCモジュールの適用事例を示した。SiCチップとして,600~3300Vのショットキーバリアダイオード(SBD)や600,1200,3300VのMOSFETを開発した。開発動向として,高電圧デバイスの抵抗低減を示した。現在のSiCモジュール製品には,鉄道向けの1700VハイブリッドSiCモジュールとエレベータ向けの1200VフルSiCモジュールがある。ハイブリッドSiCモジュールの構成を示し,フルSiCモジュールでは,さらに損失低減が見込まれる。その他,ハイブリッドSiCモジュールとフルSiCモジュールの適用例を示した。

シソーラス用語： *炭化ケイ素 ,  *電力トランジスタ ,  *省エネルギー ,  電力消費 ,  技術開発 ,  Schottky障壁ダイオード ,  MOSFET ,  電気抵抗 ,  鉄道車両用機器 ,  エレベータ ,  電装品 ,  技術展望
準シソーラス用語： *パワー半導体

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： シリコン ,  カーバイド ,  SiC ,  パワー半導体 ,  推進 ,  省エネルギー