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J-GLOBAL ID：201502211217962110   整理番号：15A0294453

共役高分子の微細組織とN-型高分子電界効果トランジスターの特性に対するドーピング濃度の影響

Effect of Doping Concentration on Microstructure of Conjugated Polymers and Characteristics in N-Type Polymer Field-Effect Transistors

著者 (8件)： LIU Chuan (State Key Lab. of Optoelectronic Materials and Technologies, School of Physics and Engineering, Sun Yat-Sen Univ. ...) ,  JANG Junhyuk ,  XU Yong ,  KIM Hyo-Jung ,  KHIM Dongyoon ,  PARK Won-Tae ,  NOH Yong-Young ,  KIM Jang-Joo
資料名： Advanced Functional Materials  (Advanced Functional Materials)
巻： 25  号： 5  ページ： 758-767  発行年： 2015年02月 
JST資料番号： W1336A  ISSN： 1616-301X  CODEN： AFMDC6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 有機電界効果トランジスターにおける大きい進歩にもかかわらず,信頼性ある高移動度n-型高分子はp-型高分子よりも極めて少ない。臨界ドーピングモル比(MR)のドーパントを用いることにより,n-型高分子ポリ[[N,N9-ビス(2-オクチルドデシル)-ナフタレン-1,4,5,8-ビス(ジカルボキシイミド)-2,6-ジイル]-alt-5,59-(2,29-ビチオフェン)](P(NDI2DO-T2))電界効果トランジスター(FETs)が著しく改善でき,同時に移動度,オン-オフ比,結晶性,注入および信頼性を最適化できることを実証した。特に,低濃度(0.05wt%)で有機ドーパント,ビス(シクロペンタジエニル)-コバルト(II)(コバルトセン,CoCp₂)を用いた時,FET移動度は0.34から0.72cm²V^-1s^-1まで増大し,閾値電圧は32.7から8.8Vまで低下した。シンクロトロンX線により明らかにされた高分子の結晶性の変化に加え電気特性とドーパントのMRとの間の関係を系統的に調べた。以前の発見とは異なり,移動度は最初上昇しその後MRの臨界値を超えると劇的に低下することが分かった。同時に,面内X線回折の主要ピークの強度と幅は同一の臨界MRにおいて低下し始めた。従って,移動度の低下は,有機および無機ドーパント双方に対して共役高分子の面内結晶性の乱れと相関している。その方法は,P(NDI2DO-T2)の電気的性能と微細構造を最適化するための,ドーパントを採用する単純で効果的な手法を与えた。Copyright 2015 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *FET【トランジスタ】 ,  *高分子半導体 ,  *N型半導体 ,  交互共重合体 ,  ポリチオフェン類 ,  ドーパント ,  コバルト錯体 ,  メタロセン ,  添加物効果 ,  濃度依存性 ,  電流電圧特性 ,  キャリア移動度 ,  微細構造 ,  分子配向
準シソーラス用語： *有機FET

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  高分子固体の物理的性質  (CG02024U)

物質索引 (1件)： 4-(2,2′-ビチオフェン-5-イル)-2,7-ビス[2-オクチルデシル]ベンゾ[lmn][3,8]フェナントロリン-1,3,6,8(2H,7H)-テトラオン

タイトルに関連する用語 (6件)： 共役高分子 ,  微細組織 ,  型 ,  高分子 ,  電界効果トランジスター ,  ドーピング