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J-GLOBAL ID：201502211244534300   整理番号：15A1366978

ナノワイヤーヘテロ構造体内のInGaN合金の原子配列

Atomic Ordering in InGaN Alloys within Nanowire Heterostructures

著者 (5件)： WOO Steffi Y. (McMaster Univ., Ontario, CAN) ,  BUGNET Matthieu (McMaster Univ., Ontario, CAN) ,  NGUYEN Hieu P. T. (McGill Univ., Quebec, CAN) ,  MI Zetian (McGill Univ., Quebec, CAN) ,  BOTTON Gianluigi A. (McMaster Univ., Ontario, CAN)
資料名： Nano Letters  (Nano Letters)
巻： 15  号： 10  ページ： 6413-6418  発行年： 2015年10月 
JST資料番号： W1332A  ISSN： 1530-6984  CODEN： NALEFD  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： InGaN/GaN NWヘテロ構造体内のウルツ鉱型INGaN合金の原子レベルの化学的規則化を,電子回折および原子的解像度での直接可視化により同定した。実験結果は,Inリッチ層中のIn富化の程度は顕著であることを示し,表面ファセット近傍での減少したN配位サイトへのIn原子の優先的サイト占有は,既存の理論的モデルを批准した。InGaNの規則化の普及を,NWヘテロ構造体に沿って進展する非平坦成長前線と,基礎となるGaNに関連する合金の面内歪みの結合により説明した。原子的規則化は,大規模組成不均一性に対する代替を提供して,高品質InGaN/GaNの製造に利点をもたらす。

シソーラス用語： ナノワイヤ ,  素子構造 ,  *インジウム化合物 ,  *ガリウム化合物 ,  *窒化物 ,  配列 ,  ウルツ鉱型結晶 ,  窒化ガリウム ,  規則化 ,  電子回折
準シソーラス用語： ヘテロ構造 ,  *原子配列 ,  *窒化ガリウムインジウム

分類 (2件)： その他の無機化合物の結晶構造  (BK07030J) ,  窒素とその化合物  (YB02050S)

タイトルに関連する用語 (5件)： ナノワイヤー ,  ヘテロ構造 ,  InGaN ,  合金 ,  原子配列