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J-GLOBAL ID：201502211321782974   整理番号：15A0872503

溶液加工した三酸化モリブデンの取込による高分子電界効果トランジスタの電荷注入特性の制御

Controlling charge injection properties in polymer field-effect transistors by incorporation of solution processed molybdenum trioxide

著者 (5件)： LONG Dang Xuan (Dep. of Energy and Materials Engineering, Dongguk Univ., 26 Pil-dong, 3 ga, Jung-gu, Seoul 100-715, Republic of ...) ,  XU Yong ,  WEI Huai-xin ,  LIU Chuan ,  NOH Yong-Young
資料名： Physical Chemistry Chemical Physics  (Physical Chemistry Chemical Physics)
巻： 17  号： 31  ページ： 20160-20167  発行年： 2015年08月21日 
JST資料番号： A0271C  ISSN： 1463-9076  CODEN： PPCPFQ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 簡易合成型MoO₃溶液を開発してp-型有機電界効果トランジスタ(OFET)の電荷注入特性を改善するための電荷注入層を作製した。空気雰囲気でアンモニウム(NH₃)溶媒にMoO₃粉体を溶解することによって中間体モリブデン酸アンモニウム((NH₄)₂MoO₄)前駆体を安定,透明にし,スピンコートしてMoO₃界面層を形成させ,厚さおよび形態を良好に制御した。このMoO₃層をコスト効率良好なモリブデン(Mo)電極とともにOFETに利用すると電界効果移動度(μ_FET)は高分子半導体である位置規則性ポリ(3-ヘキシルチオフェン)(P3HT)または3,6-ビス-(5-ブロモ-チオフェン-2-イル)-N,N′-ビス(2-オクチル-1-ドデシル)-1,4-ジオキソ-ピロロ[3,4-c]ピロール(DPPT-TT)で0.17または1.85cm²V^-1s^-1へそれぞれ大幅に向上した。デバイス解析によればMoO₃析出Mo接点は貴金属のAu電極を有するデバイスに匹敵する1.2MΩcmの接触抵抗R_Cを示した。Kelvinプローブ測定によればMo電極の仕事関数はMoO₃膜の厚さへの依存性を示さなかった。その代り,紫外線光電子分光法の結果によればP3HT半導体へのMoO₃層のキャストによってドーピング効果がおそらく誘起され,それが正孔注入の向上をもたらした。Copyright 2015 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST

シソーラス用語： *酸化モリブデン ,  *キャリア注入 ,  *FET【トランジスタ】 ,  高分子半導体 ,  モリブデン ,  キャリア移動度 ,  ポリヘキシルチオフェン ,  仕事関数 ,  接触抵抗
準シソーラス用語： P3HT【重合体】 ,  三酸化モリブデン ,  電荷注入 ,  有機FET

分類 (3件)： 固-固界面  (CB12060M) ,  塩基,金属酸化物  (CD01030Z) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： 溶液 ,  三酸化モリブデン ,  取込 ,  高分子 ,  電界効果トランジスタ ,  電荷注入