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J-GLOBAL ID：201502211378459257   整理番号：15A0423710

負荷キャパシタンスと静電容量を制限したTSVベース圧電共振器のデバイスキャラクタリゼーション

Device Characteristics of TSV-Based Piezoelectric Resonator With Load Capacitance and Static Capacitance Modification

著者 (6件)： SHIH Jian-Yu (National Chiao Tung Univ., Hsinchun, TWN) ,  CHEN Yen-Chi (TXC Corp., Taoyuan, TWN) ,  CHIU Chih-Hung (TXC Corp., Taoyuan, TWN) ,  LO Chung-Lun (TXC Corp., Taoyuan, TWN) ,  CHANG Chi-Chung (TXC Corp., Taoyuan, TWN) ,  CHEN Kuan-Neng (National Chiao Tung Univ., Hsinchun, TWN)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 62  号： 3  ページ： 927-933  発行年： 2015年03月 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 現在共振器デバイスはメタルリッドと高温共晶セラミック(HTCC)でパッケージされて大きさが1.6mm×2.0mmになりコストも高い。MEMS共振器は低コストでサイズが小さくなるがまだ課題もある。それに対して3D集積技術は実績がある。TSVを使った3D集積により,ハーメチックCuSn共晶ボンディングとウエハレベルシンニングで圧電共振器デバイスを製作した。TSVを使った共振器のデバイス特性と信頼性は非常に良好な特性と品質を示した。負荷キャパシタンスとTSVベース基板での静電容量制限で改善したデバイス特性を調査した。デバイスは現在の半導体プロセスに対して利点と適合性を持ち,現在のメタルリッドHTCCパッケージと比べて製造性も優れている。

シソーラス用語： 集積 ,  共振器 ,  バイアホール ,  *ハーメチックシール ,  研削 ,  研磨 ,  静電容量
準シソーラス用語： *TSV【配線】 ,  キャパシタンス ,  シンニング ,  *圧電共振器 ,  三次元集積

分類 (1件)： 共振器  (NC04050Y)

タイトルに関連する用語 (6件)： キャパシタンス ,  静電容量 ,  制限 ,  TSV ,  圧電共振器 ,  キャラクタリゼーション