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J-GLOBAL ID：201502211406212123   整理番号：15A1349073

透明電界放出デバイス用のグラフェンとZnOナノ円錐のハイブリッド構造の作製

Fabrication of graphene and ZnO nanocones hybrid structure for transparent field emission device

著者 (7件)： ZULKIFLI Zurita (Dep. of Frontier Materials, Graduate School of Engineering, Nagoya Inst. of Technol., JPN) ,  ZULKIFLI Zurita (Fac. of Electrical Engineering, Universiti Teknologi Mara, Malaysia) ,  SHINDE Sachin M. (Dep. of Frontier Materials, Graduate School of Engineering, Nagoya Inst. of Technol., JPN) ,  SUGUIRA Takatoshi (Dep. of Frontier Materials, Graduate School of Engineering, Nagoya Inst. of Technol., JPN) ,  KALITA Golap (Dep. of Frontier Materials, Graduate School of Engineering, Nagoya Inst. of Technol., JPN) ,  KALITA Golap (Center for Fostering Young and Innovative Researchers, Nagoya Inst. of Technol., Gokiso-cho, Showa-ku, Nagoya ...) ,  TANEMURA Masaki (Dep. of Frontier Materials, Graduate School of Engineering, Nagoya Inst. of Technol., JPN)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 356  ページ： 674-678  発行年： 2015年11月30日 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 透明で高性能の電子放出デバイスの作製は適切な表示用途の重要な課題である。ここでは,大面積の化学蒸着グラフェンと炭素ドープ酸化亜鉛(C:ZnO)ナノ円錐を一体化した透明で高効率の電界放出デバイスの作製を実証した。ZnOナノ円錐は室温のイオン照射プロセスで得られ,その上にグラフェン膜をナノ円錐の先端を破壊しないで転写した。電界放出特性のかなりの増強がC:ZnOナノ円錐上に転写されたグラフェン膜で観測された。電流密度1μA/cm²におけるハイブリッド膜とそのままのナノ円錐膜に対する閾値電場はそれぞれ4.3V/μmと6.5V/μmと得られた。グラフェン/C:ZnOナノ円錐の低ターンオン電場をもつ増強電界放出特性は電場の局所的な増強によるものである。この知見はグラフェン/C:ZnOハイブリッド化構造が高い透明度と妥協することなく電界放出デバイスを作製するのに極めて有望である。Copyright 2015 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *グラフェン ,  *酸化亜鉛 ,  *ナノ構造 ,  ナノ複合材料 ,  炭素 ,  ドーピング ,  化学蒸着 ,  *透明材料 ,  *電界放出 ,  フラットパネルディスプレイ ,  イオン照射 ,  化合物半導体 ,  ターンオン ,  フレキシブル基板 ,  Fowler-Nordheimトンネリング
準シソーラス用語： *ナノ円錐 ,  電界放出ディスプレイ

分類 (3件)： 熱電子放出,電界放出  (BM09020S) ,  酸化物薄膜  (BK14050P) ,  その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A)

タイトルに関連する用語 (6件)： 電界放出 ,  グラフェン ,  ZnO ,  ナノ円錐 ,  ハイブリッド構造 ,  作製