文献

J-GLOBAL ID：201502211417278044   整理番号：15A0735740

Berkovichナノインデンテーションによるc面単結晶ZnOのポップイン効果と転位の核発生

Pop-in effects and dislocation nucleation of c-plane single-crystal ZnO by Berkovich nanoindentation

著者 (1件)： JIAN Sheng-Rui (Dep. of Materials Sci. and Engineering, I-Shou Univ., Kaohsiung 840, Taiwan)
資料名： Journal of Alloys and Compounds  (Journal of Alloys and Compounds)
巻： 644  ページ： 54-58  発行年： 2015年09月25日 
JST資料番号： D0083A  ISSN： 0925-8388  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Berkovichナノインデンテーションによって誘起された多重ポップイン現象をc面単結晶ZnOの荷重-変位曲線において観測した。断面透過電子顕微鏡観察(XTEM)や制限視野回折(SAD)解析を行ったが,相変態の証拠は全く見つからなかった。XTEM観察は,ポップインという不安定性は{0001}底面と{10<span style=text-decoration:overline>1</span>1}ピラミッド面に乗っているすべり系に沿って伝播する転位が突然に核形成することが起因であること示唆する。このシナリオに沿って転位の核形成エネルギーの見積もりを行った。さらに,c面単結晶ZnOへのインデンテーション荷重の関数としてカソードルミネセンス(CL)分光を測定した。ナノインデンテーション印加荷重とともにバンド端ルミネセンスの強度は指数関数的に減衰し,100mNの最大荷重では無荷重の領域の約5%にまで低下することが分かった。CL技術は表面近傍塑性半導体の有効な研究手法として役立つと示唆された。Copyright 2015 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： 圧子 ,  *ナノインデンテーション ,  単結晶 ,  *酸化亜鉛 ,  結晶面 ,  *荷重-変形関係 ,  滑り ,  転位【結晶】 ,  核形成 ,  生成熱 ,  依存性 ,  圧縮荷重 ,  陰極線ルミネセンス ,  発光 ,  バンドギャップ ,  光ルミネセンス ,  化合物半導体
準シソーラス用語： *Berkovich圧子 ,  バンド端発光 ,  *ポップイン ,  荷重依存性 ,  形成エネルギー ,  酸化物半導体 ,  転位すべり ,  転位の核形成

分類 (1件)： セラミック材料  (HC03040A)

タイトルに関連する用語 (5件)： ナノインデンテーション ,  単結晶 ,  ZnO ,  ポップイン ,  転位