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J-GLOBAL ID：201502211460913250   整理番号：15A1267449

低温誘導結合プラズマ化学気相成長法による高屈折率シリコンリッチ窒化物膜の探求および集積導波管向けの用途

Exploring High Refractive Index Silicon-Rich Nitride Films by Low-Temperature Inductively Coupled Plasma Chemical Vapor Deposition and Applications for Integrated Waveguides

著者 (8件)： NG Doris K. T. (Data Storage Inst. (A*STAR) Agency for Sci. Technol. & Res., Singapore, SGP) ,  WANG Qian (Data Storage Inst. (A*STAR) Agency for Sci. Technol. & Res., Singapore, SGP) ,  WANG Ting (Singapore Univ. Technol. and Design, Singapore, SGP) ,  NG Siu-Kit (Data Storage Inst. (A*STAR) Agency for Sci. Technol. & Res., Singapore, SGP) ,  TOH Yeow-Teck (Data Storage Inst. (A*STAR) Agency for Sci. Technol. & Res., Singapore, SGP) ,  LIM Kim-Peng (Data Storage Inst. (A*STAR) Agency for Sci. Technol. & Res., Singapore, SGP) ,  YANG Yi (Data Storage Inst. (A*STAR) Agency for Sci. Technol. & Res., Singapore, SGP) ,  TAN Dawn T. H. (Singapore Univ. Technol. and Design, Singapore, SGP)
資料名： ACS Applied Materials & Interfaces  (ACS Applied Materials & Interfaces)
巻： 7  号： 39  ページ： 21884-21889  発行年： 2015年10月07日 
JST資料番号： W2329A  ISSN： 1944-8244  CODEN： AAMICK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 250°Cの低温でICP-CVDにより堆積したSRN(シリコンリッチ窒化物)膜を探求した。SRN膜の屈折率を,堆積時のSiH₂:N₂ガスの流動比を変化させて2.2~3.08に調整した。取得した最高の屈折率は,1550nm波長で3.08である。EDSは,3種のこの膜中で原子比の異なるSiとNの存在を示した。フォトニック集積用の導波管としてのその用途を実証するために,SRN膜をエッチするためにSF₆およびCHF₃ガス化学を用い,ICPにより,~90°の側壁プロファイルをもつ導波管を形成した。

シソーラス用語： エネルギー分散X線分光分析 ,  フッ化硫黄 ,  化学蒸着 ,  屈折率 ,  *窒化ケイ素 ,  導波路 ,  誘導結合プラズマ ,  フロン ,  トリハロメタン
準シソーラス用語： EDS【分光分析】 ,  化学気相成長 ,  *高屈折率 ,  導波管 ,  六フッ化硫黄

分類 (2件)： その他の無機化合物の結晶成長  (BK13060T) ,  窒素とその化合物  (YB02050S)

物質索引 (1件)： フルオロホルム

タイトルに関連する用語 (9件)： 低温 ,  誘導結合プラズマ ,  化学気相成長法 ,  高屈折率 ,  シリコン ,  窒化物膜 ,  集積 ,  導波管 ,  用途