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J-GLOBAL ID:201502211468077310   整理番号:15A0484764

炭化ケイ素の高温Na2SO4堆積支援腐食-I:温度と時間依存性

High-Temperature Na2SO4 Deposit-Assisted Corrosion of Silicon Carbide - I: Temperature and Time Dependence
著者 (2件):
資料名:
巻: 98  号:ページ: 1275-1284  発行年: 2015年04月 
JST資料番号: C0253A  ISSN: 0002-7820  CODEN: JACTAW  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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Na2SO4に誘起された高温腐食の時間と温度依存性について,焼結したα(Hexoloy)だけでなくCVD SiCについて900~1100°Cの温度で,0.75~96hの時間に亘って調べた。腐食の程度は質量変化測定による定量化,流水,HCl及びHF溶解を用いた腐食生成物の除去とそれに続くICP-OES分析,試料表面上の孔食を特性評価する光学的形状分析により行った。また,腐食生成物の形態,分布及び相組成をより良く理解するためSEM,EDS及びXRDを用いた。Hexoloyの高温腐食は高純度のCVD-SiCよりも厳しいことが明らかとなった。高温腐食は連続的なシリカ層が混合したケイ酸塩層の下に形成されるまで初め急速であった。連続的なシリカ層が形成後は,腐食速度の温度依存性はシリカ層を通過する酸素の拡散と一致した。Copyright 2015 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.
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セラミック・磁器の性質 

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