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J-GLOBAL ID：201502211472316975   整理番号：15A1029100

AlGaN/InGaN/GaN量子井戸ヘテロ構造に基づくパルス電子ビームポンピングレーザ

Pulsed electron-beam-pumped laser based on AlGaN/InGaN/GaN quantum-well heterostructure

著者 (11件)： GAMOV N. A. (Technical Univ., Moscow, RUS) ,  ZHDANOVA E. V. (Technical Univ., Moscow, RUS) ,  ZVEREV M. M. (Technical Univ., Moscow, RUS) ,  PEREGOUDOV D. V. (Technical Univ., Moscow, RUS) ,  STUDENOV V. B. (Technical Univ., Moscow, RUS) ,  MAZALOV A. V. (‘M.F. Stel’makh Polyus Res. Inst.’, Moscow, RUS) ,  KURESHKOV V. A. (‘M.F. Stel’makh Polyus Res. Inst.’, Moscow, RUS) ,  SABITOV D. R. (‘M.F. Stel’makh Polyus Res. Inst.’, Moscow, RUS) ,  PADALITSA A. A. (‘M.F. Stel’makh Polyus Res. Inst.’, Moscow, RUS) ,  MARMALYUK A. A. (OJSC ‘M.F. Stel’makh Polyus Res. Inst.’, Moscow, RUS) ,  MARMALYUK A. A. (National Nuclear Univ. ‘MEPhI’, Moscow, RUS)
資料名： Quantum Electronics  (Quantum Electronics)
巻： 45  号： 7  ページ： 601-603  発行年： 2015年07月 
JST資料番号： D0044C  ISSN： 1063-7818  CODEN： QUELEZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 青紫色のパルスレーザを開発するために,AlGaN/InGaN/GaNのヘテロ構造に基づく量子井戸レーザについて検討した。数個のInGaNの量子井戸を有する量子井戸レーザをMOCVD法で調製し,これを横方向から電子ビームでポンピングした。電子ビームポンピングの条件を調整することで,青紫色のレーザ発振を観測した。レーザパルスの波長は温度300Kで430nmであった。電子ビーム電流密度の最小閾値や最小電子エネルギーなど,青紫色レーザパルスの励起条件を調べた。電子ビームポンピングレーザの最小閾値は18keVの電子エネルギーで8A/cm²,最小電子エネルギーは9keVになることが分かった。量子井戸ヘテロ構造を電子ビームでポンピングすることで,高効率な青紫色パルスレーザを実現できる。

シソーラス用語： *量子井戸レーザ ,  素子構造 ,  ヘテロ接合 ,  *窒化ガリウム ,  インジウム化合物 ,  ガリウム化合物 ,  窒化物 ,  アルミニウム化合物 ,  *電子ビームポンピング ,  可視レーザ ,  紫 ,  青 ,  電流密度 ,  パルスレーザ ,  MOCVD ,  横方向 ,  レーザ発振 ,  レーザパルス ,  波長依存性 ,  閾値 ,  エネルギー変換効率
準シソーラス用語： AlGaN ,  InGaN ,  ヘテロ構造 ,  青紫色レーザ

分類 (1件)： 半導体レーザ  (BD04070L)

タイトルに関連する用語 (8件)： AlGaN ,  InGaN ,  GaN ,  量子井戸 ,  ヘテロ構造 ,  パルス ,  電子ビームポンピング ,  レーザ