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J-GLOBAL ID：201502211525069150   整理番号：15A0842541

Siナノ多孔質ピラーアレイに基づいたCdS/Siヘテロ構造の整流効果と光起電力性能に及ぼすホウ素ドーピングの効果

Effect of boron doping on the rectification effect and photovoltaic performance of CdS/Si heterostructure based on Si nanoporous pillar array

著者 (6件)： YAN Ling Ling (Zhengzhou Univ., Zhengzhou, CHN) ,  YAN Ling Ling (Henan Polytechnic Univ., Jiaozuo, CHN) ,  WANG Xiao Bo (Zhengzhou Univ., Zhengzhou, CHN) ,  WANG Xiao Bo (Anyang Normal Univ., Anyang, CHN) ,  LIU Wei Kang (Zhengzhou Univ., Zhengzhou, CHN) ,  LI Xin Jian (Zhengzhou Univ., Zhengzhou, CHN)
資料名： Journal of Physics. D. Applied Physics  (Journal of Physics. D. Applied Physics)
巻： 48  号： 26  ページ： 265101,1-7  発行年： 2015年07月08日 
JST資料番号： B0092B  ISSN： 0022-3727  CODEN： JPAPBE  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 一連のCdS/Siヘテロ構造が化学浴蒸着(CBD)法を使用してSiナノ多孔質ピラーアレイ(Si-NPA)上のBドープCdS薄膜を成長させることによって製作された。初期のCBD溶液の[B]/[Cd]比を変化させることによって,蒸着されたCdS薄膜中のBドーピング濃度は有効に制御可能であった。製作されたCdS/Si-NPAの構造的,光学的,電気的,及び光起電力特性が[B]/[Cd]の関数として系統的に研究された。筆者らの実験データは,BドーピングがCdS/Si-NPAの整流パラメータや光起電力特性に強い効果をもつことを示す。そして,最適な整流効果と光起電力性能の両方が[B]/[Cd]=0.01で製作されたCdS/Si-NPA素子で達成される。これらの結果は,BドーピングがCdS/Si-NPA太陽電池のエネルギー転換効率を上げるための有効な方法であることを説明する。

シソーラス用語： 多孔性 ,  配列 ,  ケイ素 ,  硫化カドミウム ,  素子構造 ,  整流 ,  光起電力 ,  *ホウ素 ,  *ドーピング ,  *太陽電池
準シソーラス用語： ナノ多孔質 ,  ピラーアレイ ,  ヘテロ構造

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (8件)： Si ,  ナノ多孔質 ,  ピラーアレイ ,  CdS ,  ヘテロ構造 ,  整流 ,  光起電力 ,  ホウ素ドーピング