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J-GLOBAL ID：201502211589909705   整理番号：15A1038537

Alをドープしたセリア薄膜におけるバイポーラとユニポーラの抵抗スイッチングの共存と不揮発性メモリへの応用

Coexistence of bipolar and unipolar resistive switching in Al-doped ceria thin films for non-volatile memory applications

著者 (5件)： ISMAIL Muhammad (Dep. of Physics, Bahauddin Zakariya Univ., Multan, 60800, PAK) ,  AHMED Ejaz (Dep. of Physics, Bahauddin Zakariya Univ., Multan, 60800, PAK) ,  RANA Anwar Manzoor (Dep. of Physics, Bahauddin Zakariya Univ., Multan, 60800, PAK) ,  TALIB Ijaz (Dep. of Physics, Bahauddin Zakariya Univ., Multan, 60800, PAK) ,  NADEEM Muhammad Younus (Dep. of Physics, Bahauddin Zakariya Univ., Multan, 60800, PAK)
資料名： Journal of Alloys and Compounds  (Journal of Alloys and Compounds)
巻： 646  ページ： 662-668  発行年： 2015年10月15日 
JST資料番号： D0083A  ISSN： 0925-8388  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ReRAMデバイスとしてのTi/CeO₂/Al/CeO₂/Pt積層膜はバイポーラとユニポーラの抵抗スイッチング挙動を示す。OFF/ONの抵抗比(>10²)は両方のモードでほぼ同じであるが,動作電圧はバイポーラがユニポーラより僅かに小さい。これらのデバイスはRESET電圧の極性を選ぶだけで二つの動作中のモードを切り替えることが出来る。二つのモードのSETプロセスにおいて電流コンプライアンスが同一でなければならないという要求があるので,デバイス動作が単純になるという利点もある。高抵抗状態と低抵抗状態の伝導機構はショットキー放出とオーム則伝導である。電流電圧特性と抵抗の温度依存性を解析した結果,抵抗スイッチング機構は積層セリアマトリックス中の酸素イオンとAlイオンの電場誘起拡散の組合せ効果に起因すると考えられる。Copyright 2015 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *酸化セリウム ,  アルミニウム ,  ドーピング ,  チタン ,  白金 ,  *多層膜 ,  *スイッチング ,  電気抵抗 ,  *不揮発性メモリ ,  バイポーラトランジスタ ,  FET【トランジスタ】 ,  単一電子トランジスタ ,  Schottky障壁ダイオード ,  回路定理 ,  法則 ,  電気伝導 ,  電流電圧特性 ,  温度依存性 ,  アニオン ,  アルミニウム化合物 ,  金属イオン ,  酸化物 ,  電場効果 ,  イオン拡散 ,  RAM【メモリ】
準シソーラス用語： ReRAM ,  アルミニウムイオン ,  オーム則 ,  酸素イオン ,  *抵抗スイッチング

分類 (2件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  その他の接合  (BM03088W)

タイトルに関連する用語 (9件)： Al ,  ドープ ,  セリア ,  薄膜 ,  バイポーラ ,  抵抗スイッチング ,  共存 ,  不揮発性メモリ ,  応用