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J-GLOBAL ID：201502211704773081   整理番号：15A1073794

簡単な化学槽堆積法による準安定MnS膜のモルフォロジーの同調

Tuning the morphology of metastable MnS films by simple chemical bath deposition technique

著者 (5件)： DHANDAYUTHAPANI T. (Directorate of Distance Education, Alagappa Univ., Karaikudi 630004, IND) ,  GIRISH M. (Dep. of Physics, Alagappa Univ., Karaikudi 630004, IND) ,  SIVAKUMAR R. (Directorate of Distance Education, Alagappa Univ., Karaikudi 630004, IND) ,  SANJEEVIRAJA C. (Dep. of Physics, Alagappa Chettiar Coll. of Engineering and Technol., Karaikudi 630004, IND) ,  GOPALAKRISHNAN R. (Dep. of Physics, Anna Univ., Chennai 600025, IND)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 353  ページ： 449-458  発行年： 2015年10月30日 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本報では,いかなる錯体化剤及びキレート化剤も用いない低温での化学槽堆積法により,ガラス基板上に準安定MnS膜の球形粒子,アーモンド様,カリフラワー様モルフォロジー構造を作製した。モル比によるMnS膜のモルフォロジー的変化は隣接粒子の配向凝集によるのであろう。堆積膜の組成純度はEDAX研究により確認された。X線回折及び顕微Raman研究は,準安定MnS相(閃亜鉛鉱β-MnS及びウルツ鉱γ-MnS)を持つ膜の結晶化における硫黄源濃度誘起増強を確証した。モル比によるPL発光ピークシフトはMnSの光学エネルギーバンドギャップの変化によるのであろう。これは光吸収率研究により更に確認された。試料の常磁性挙動はM-Hプロットにより確認された。Copyright 2015 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *硫化マンガン ,  *半導体薄膜 ,  磁性半導体 ,  *準安定相 ,  *薄膜成長 ,  構造特性 ,  X線回折 ,  エネルギー分散X線分光分析 ,  Ramanスペクトル ,  光ルミネセンス ,  *磁化特性 ,  モル比 ,  光吸収スペクトル ,  化合物半導体 ,  ガラス ,  基板 ,  閃亜鉛鉱型結晶 ,  ウルツ鉱型結晶 ,  紫外可視発光スペクトル ,  *光学定数 ,  透過率 ,  *光学ギャップ ,  モルフォロジー
準シソーラス用語： *化学槽堆積

分類 (5件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  光物性一般  (BM08010A) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S) ,  磁区・磁化過程一般  (BM06111M) ,  磁性材料  (NA04040H)

タイトルに関連する用語 (3件)： 化学槽堆積 ,  モルフォロジー ,  同調