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J-GLOBAL ID：201502211740874714   整理番号：15A1079395

Cu₂ZnSn(S,Se)₄薄膜の微細構造へのポスト硫化温度による影響

Effect of post sulfurization temperature on the microstructure of Cu₂ZnSn(S,Se)₄ thin film

著者 (6件)： CHEN Guilin (Fujian Provincial Key Lab. of Quantum Manipulation and New Energy Materials, Coll. of Physics and Energy, Fujian ...) ,  LI Jianmin (CAS Key Lab. of Materials for Energy Conversion, Dep. of Materials Sci. and Engineering, Univ. of Sci. and Technol. ...) ,  WU Miaoju (Fujian Provincial Key Lab. of Quantum Manipulation and New Energy Materials, Coll. of Physics and Energy, Fujian ...) ,  LIU Jinyang (Fujian Provincial Key Lab. of Quantum Manipulation and New Energy Materials, Coll. of Physics and Energy, Fujian ...) ,  LAI Fachun (Fujian Provincial Key Lab. of Quantum Manipulation and New Energy Materials, Coll. of Physics and Energy, Fujian ...) ,  ZHU Changfei (CAS Key Lab. of Materials for Energy Conversion, Dep. of Materials Sci. and Engineering, Univ. of Sci. and Technol. ...)
資料名： Materials Letters  (Materials Letters)
巻： 159  ページ： 32-34  発行年： 2015年11月15日 
JST資料番号： E0935A  ISSN： 0167-577X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Cu₂ZnSnSe₄(CZTSe)薄膜の硫化はCu₂ZnSn(S,Se)₄(CZTSSe)太陽電池デバイスの特性を変える有効な方法である。CZTSSeの微細構造は高効率のCZTSSe太陽電池のための重要な要因である。しかし,硫化過程での微細構造の転移の研究は未だ十分である。そこで,本報告ではCZTSe薄膜を最初に酸化物前駆体のセレン化により成長させ,硫化によりCZTSSeに変換した。CZTSSe薄膜の微細構造へのポスト硫化温度による影響を調べた。Copyright 2015 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *セレン化物 ,  *亜鉛化合物 ,  *スズ化合物 ,  *銅化合物 ,  *半導体薄膜 ,  酸化物 ,  基板 ,  ガラス ,  メカノ化学 ,  化学反応 ,  硫化水素 ,  *硫化 ,  相組成 ,  結晶構造 ,  結晶形態 ,  化学組成 ,  微細構造 ,  Ramanスペクトル ,  *硫化物 ,  *太陽電池
準シソーラス用語： CZTSe ,  セレン化反応

分類 (4件)： 太陽電池  (NC03084O) ,  半導体薄膜  (BK14040E) ,  金属酸化物及び金属カルコゲン化物の結晶構造  (BK07020Y) ,  半導体の赤外スペクトル及びRaman散乱・Ramanスペクトル  (BM08066B)

タイトルに関連する用語 (4件)： Se ,  薄膜 ,  微細構造 ,  硫化