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J-GLOBAL ID：201502211766344217   整理番号：15A1013285

単一成分半導体における中性金/ニッケルジチオレン錯体の分子合金

Molecular Alloys of Neutral Gold/Nickel Dithiolene Complexes in Single-Component Semiconductors

著者 (7件)： MEBROUK Kenny (Univ. Rennes 1, Rennes, FRA) ,  KADDOUR Wafa (Univ. Paris-Sud, Orsay, FRA) ,  AUBAN-SENZIER Pascale (Univ. Paris-Sud, Orsay, FRA) ,  PASQUIER Claude (Univ. Paris-Sud, Orsay, FRA) ,  JEANNIN Olivier (Univ. Rennes 1, Rennes, FRA) ,  CAMEREL Franck (Univ. Rennes 1, Rennes, FRA) ,  FOURMIGUE Marc (Univ. Rennes 1, Rennes, FRA)
資料名： Inorganic Chemistry  (Inorganic Chemistry)
巻： 54  号： 15  ページ： 7454-7460  発行年： 2015年08月03日 
JST資料番号： C0566A  ISSN： 0020-1669  CODEN： INOCAJ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 2個のpara-ブトキシフェニル置換基を含むジチオレン誘導体S₂C₂からなる金またはニッケル錯体,[MOC₄](M=Au,Ni),の混合物溶液から再結晶化することにより等構造の完全固溶体,[NiOC₄]_1-x[AuOC₄]_x(x=0~1,0.1きざみ),を合成した。これらの固溶体のキャラクタリゼーションをX線回折及びエネルギー分散X線分光分析により行った。磁化率測定から,隣接するラジカル金ジチオレン錯体の間に反強磁性相互作用が働いていることを見いだした。また,電導度はxが増大するのに伴って指数関数的に増加し,電導度の活性化エネルギーは金豊富化合物ではほぼ一定値をとることが分かった。[NiOC₄]及び[AuOC₄]ジチオレン錯体の1電子酸化及び還元に対する酸化還元電位を比較することにより,[NiOC₄]中性錯体が[AuOC₄]ラジカル錯体に対するドーパントとしては作用しないことを示した。

シソーラス用語： *ジチオレン錯体 ,  X線構造解析 ,  固溶体 ,  *電気伝導率 ,  磁気的性質 ,  酸化還元電位 ,  エネルギー分散X線分光分析 ,  *金錯体 ,  *ニッケル錯体 ,  合金 ,  *結晶構造 ,  *交換相互作用 ,  活性化エネルギー ,  磁化率
準シソーラス用語： 反強磁性相互作用

分類 (4件)： 遷移金属錯体一般  (CE01040N) ,  遷移金属元素(鉄族元素を除く)の錯体の結晶構造  (BK09030X) ,  その他の無機化合物の磁性  (BM06060P) ,  有機化合物の電気伝導  (BM03045F)

物質索引 (1件)： (Z)-1,2-ビス(4-ブトキシフェニル)-1,2-エテンジチオール

タイトルに関連する用語 (5件)： 中性 ,  ニッケル ,  ジチオレン錯体 ,  分子 ,  合金