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J-GLOBAL ID：201502211805495961   整理番号：15A0870257

各種アルキル鎖長さを持つ自己組織化単分子層により改良したInGaZnO薄膜トランジスタ

InGaZnO Thin-Film Transistors Modified by Self-Assembled Monolayer With Different Alkyl Chain Length

著者 (7件)： XIAO Peng (South China Univ. Technol., Guangzhou, CHN) ,  LAN Linfeng (South China Univ. Technol., Guangzhou, CHN) ,  DONG Ting (South China Univ. Technol., Guangzhou, CHN) ,  LIN Zhenguo (South China Univ. Technol., Guangzhou, CHN) ,  SUN Sheng (South China Univ. Technol., Guangzhou, CHN) ,  SONG Wei (South China Univ. Technol., Guangzhou, CHN) ,  PENG Junbiao (South China Univ. Technol., Guangzhou, CHN)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 36  号： 7  ページ： 687-689  発行年： 2015年07月 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： InGaZnO薄膜トランジスタ(IGZO TFTs)は空気中の酸素分子や水分に敏感で,電気的安定性が悪い。このため,性能向上には保護膜が必要である。しかし,無機パッシベーション膜の蒸着でプラズマ損傷あるいは水素ドーピングが生じる。本稿では,メチルトリエトキシシラン(C1-TES),オクチルトリエトキシシラン(C8-TES),オクタトリエトキシシラン(C18-TES)を含むトリエトキシシラン(TES)に基づく自己組織化単一層(SAMs)を使ってIGZO表面を改良し,アルキル鎖長さの効果を調べた。その結果,長いアルキル鎖長さのTESによりIGZO TFTsの電気的性能が向上することが分かった。これは,分子間の凝集相互作用により表面がより疎水性で高次単一層の形成のためである。

シソーラス用語： *ガリウム化合物 ,  *亜鉛化合物 ,  *酸化インジウム ,  *薄膜トランジスタ ,  アルキル基 ,  平衡 ,  保護膜 ,  凝集 ,  疎水性 ,  *単分子層 ,  自己組織化
準シソーラス用語： *IGZO【半導体】 ,  アルキル鎖 ,  自己組織化単分子層 ,  電気的安定性

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

物質索引 (1件)： トリエトキシシラン

タイトルに関連する用語 (3件)： アルキル鎖 ,  自己組織化単分子層 ,  トランジスタ