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J-GLOBAL ID：201502211827029956   整理番号：15A0876628

InPにおける高速イオンに誘起された構造発展

Swift heavy ion induced structural evolution in InP

著者 (4件)： MISHRA Shramana (Dep. of Physics, Indian Inst. of Technol., Kharagpur 721302, IND) ,  HOODA Sonu (Inter-university Accelerator Center, Aruna Asaf Ali Marg, New Delhi 110067, IND) ,  KABIRAJ D. (Inter-university Accelerator Center, Aruna Asaf Ali Marg, New Delhi 110067, IND) ,  ROY Anushree (Dep. of Physics, Indian Inst. of Technol., Kharagpur 721302, IND)
資料名： Vacuum  (Vacuum)
巻： 119  ページ： 136-144  発行年： 2015年09月 
JST資料番号： E0347A  ISSN： 0042-207X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,100MeV銀(Ag⁷⁺)イオン照射が原因となったアンドープInPにおける損傷発達の包括研究を報告する。Raman,Rutherford後方散乱チャネリング(c-RBS)測定を行って,この系における2種類の無秩序性の側面を見いだした。Raman分光法により,イオン照射が原因となった表面下歪の単調な増大を明らかにし,後者では高フルエンスでウエハ中の大きな損傷を検出した。さらに,統一した熱スパイクモデルを使って,InPにおける上記照射条件下での格子温度を評価した。このモデルは,潜熱効果と共に非弾性熱スパイクと弾性衝突スパイク両方を含む。このモデルは観測されたターゲットの損傷発達を説明した。シミュレーションモデルと共に上記実験法から,Agイオン照射したInPウエハの構造変調が起こる損傷発達を定性的に説明した。Copyright 2015 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *リン化インジウム ,  化合物半導体 ,  銀 ,  多価イオン ,  *イオン照射 ,  *照射損傷 ,  Raman分光法 ,  Rutherford後方散乱 ,  *熱スパイク ,  温度 ,  格子歪 ,  10-100MeV ,  発展
準シソーラス用語： 格子温度 ,  構造発達

分類 (1件)： 半導体の放射線による構造と物性の変化  (BK16123E)

タイトルに関連する用語 (4件)： InP ,  高速イオン ,  誘起 ,  発展