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J-GLOBAL ID：201502211843020500   整理番号：15A1079423

セリウム改質したSrBi₂Ta₂O₉セラミックスの誘電的及び強誘電的挙動

Dielectric and ferroelectric behavior of cerium modified SrBi Ta₂O₉ ceramic

著者 (5件)： SENTHIL V. (Dep. of Physics, National Inst. of Technol., Rourkela 769008, IND) ,  SENTHIL V. (Dep. of Physics, SVS Coll. of Engineering, Coimbatore 642109, IND) ,  BADAPANDA T. (Dep. of Physics, C. V. Raman Coll. of Engineering, Bhubaneswar 752054, IND) ,  CHANDRABOSE A. (Dep. of Physics, National Inst. of Technol., Tiruchirapalli 620015, IND) ,  PANIGRAHI S. (Dep. of Physics, National Inst. of Technol., Rourkela 769008, IND)
資料名： Materials Letters  (Materials Letters)
巻： 159  ページ： 138-141  発行年： 2015年11月15日 
JST資料番号： E0935A  ISSN： 0167-577X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 一般式がSrBi_2-xCe_3x/4Ta₂O₉(x=0,0.025,0.05,0.075及び0.1)であるセリウムで改質したビスマス層状強誘電体SrBi₂Ta₂O₉(SBT)を固相反応で調製した。SrBi₂Ta₂O₉セラミックスの構造と電気特性をセリウム量の関数として調べた。X線回折パターンから全ての組成が単相材料の生成を示した。走査型電子顕微鏡による形態学的研究からプレート状構造を示した。温度依存性の誘電性研究から散漫相転移を示し,Ce量が増加すると転移温度と誘電率が直線的に減少した。Ce量が増加すると誘電拡散が増加した。強誘電特性をP-Eヒステリシスループで調べ,Ce量が増加すると抗電界が減少し,残留分極が増加した。Copyright 2015 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *ストロンチウム化合物 ,  *タンタル酸塩 ,  *ビスマス化合物 ,  *セリウム化合物 ,  ドーピング ,  セラミック ,  *固相反応 ,  *結晶構造 ,  結晶形態 ,  *誘電性 ,  温度依存性 ,  *散漫相転移 ,  *強誘電性 ,  ヒステリシス ,  誘電分極 ,  抗電場 ,  *残留分極
準シソーラス用語： *タンタル酸ストロンチウムビスマス ,  強誘電特性 ,  抗電界 ,  分極ヒステリシス

分類 (3件)： セラミック・陶磁器の製造  (YC03020V) ,  金属酸化物及び金属カルコゲン化物の結晶構造  (BK07020Y) ,  強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B)

タイトルに関連する用語 (4件)： セリウム ,  改質 ,  セラミックス ,  挙動