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J-GLOBAL ID：201502211915755276   整理番号：15A1148095

フィールドプレートと最適化設計の縁効果を考慮したSOI pLDMOSの表面電場モデル【Powered by NICT】

Surface electrical field model of SOI pLDMOS considering edge effect of field plate and optimization design

著者 (4件)： Ye Ran (National ASIC System Engineering Technol. Res. Center, Southeast Univ., Nanjing) ,  Zhang Chunwei (National ASIC System Engineering Technol. Res. Center, Southeast Univ., Nanjing) ,  Liu Siyang (National ASIC System Engineering Technol. Res. Center, Southeast Univ., Nanjing) ,  Sun Weifeng (National ASIC System Engineering Technol. Res. Center, Southeast Univ., Nanjing)
資料名： Dongnan Daxue Xuebao (Ziran Kexue Ban)  (Dongnan Daxue Xuebao (Ziran Kexue Ban))
巻： 45  号： 2  ページ： 214-218  発行年： 2015年 
JST資料番号： W0606A  ISSN： 1001-0505  CODEN： DDXZB9  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： ゲートフィールドプレートに絶縁体(SOI-pLDMOS)シリコンに基づくp型横方向二重拡散MOS(金属-酸化物-半導体)トランジスタを提示した新しい表面電場解析モデル。従来の解析モデルと比較して,提案したモデルは,電場分布に及ぼすフィールドプレートの端部効果の影響を完全に考慮した。結果は,提示したモデルは,Mediciシミュレーションと一致する良好であることを示した。添加では,新しい解析モデルに基づいて,ゲートフィールドプレート(ポリシリコンフィールドプレートと金属フィールドプレートを含む)の長さと電場分布と破壊特性に及ぼすp-ドリフトの濃度の影響を研究した。SOI pLDMOSを最適に設計した。試験結果は,新しい表面電場解析モデルはデバイスパラメータの設計を導き,破壊電圧とオン抵抗の間の最良の妥協を実現できることを実証した。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 解析モデル ,  *電場 ,  ドリフト ,  半導体 ,  絶縁材料 ,  トランジスタ ,  最適設計 ,  ケイ素 ,  オン抵抗 ,  縁効果 ,  絶縁体
準シソーラス用語： 絶縁破壊電圧 ,  破壊特性 ,  電界分布 ,  LDMOS ,  *フィールドプレート , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 計算機網  (JC03000K)

タイトルに関連する用語 (6件)： フィールド ,  最適化設計 ,  縁効果 ,  SOI ,  電場 ,  モデル