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J-GLOBAL ID:201502211979013230   整理番号:15A1164697

イオンビームスパッタリングプロセスにおける磁場分離に向かって

Towards a magnetic field separation in Ion Beam Sputtering processes
著者 (7件):
資料名:
巻: 592  号: PB  ページ: 271-275  発行年: 2015年10月01日 
JST資料番号: B0899A  ISSN: 0040-6090  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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粒子汚染のためコーティングに埋め込まれた欠陥をイオンビームスパッタリングにおける光学コーティングの品質を損なう主な要因として考えられている。膜成長からこれらの粒子を除去するために,磁気分離器と従来のイオンビームスパッタリング法を組み合わせるアプローチが述べられている。分離機は,分離機の出口に位置する基板に向けて材料のフラックスを導く曲がった軸方向の磁界を提供します。ターゲットと基板との間に見通しのない線が存在しないので,分離機は,ターゲット領域で発生した粒子が基板に到達できることを防ぐ。この文脈において,従来のイオンビームスパッタリング法を用いて堆積された光学部品よりも3倍低い粒子密度であることが判った光学部品を製造した。Copyright 2015 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.
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分類 (1件):
分類
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薄膜成長技術・装置 
タイトルに関連する用語 (3件):
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