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J-GLOBAL ID：201502212042817721   整理番号：15A0953610

Cu(II)錯体インクを用いることによる印刷膜中での相進化と高密度化に及ぼすアミン濃度の影響

Effect of the Amine Concentration on Phase Evolution and Densification in Printed Films Using Cu(II) Complex Ink

著者 (2件)： CHOI Yun-Hyuk (Seoul National Univ., Seoul, KOR) ,  HONG Seong-Hyeon (Seoul National Univ., Seoul, KOR)
資料名： Langmuir  (Langmuir)
巻： 31  号： 29  ページ： 8101-8110  発行年： 2015年07月28日 
JST資料番号： A0231B  ISSN： 0743-7463  CODEN： LANGD5  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 電子デバイスのメタライゼーションにおいて,印刷技術を実用化するためには導電性インクの設計や調製が重要な課題とされている。ここでは,印刷のCuメタライゼーションのために,Cu(II)錯体インクの加熱中のCuナノ粒子の造核と成長挙動について検討した。ヘキシルアミンは還元剤とキャッピング剤の二重の効果を示すことが分った。アミンのこのような効果に起因して,前駆体が高アミン濃度の時には,加熱中に,Cuナノ粒子の単一経路成長が行われ,結果的に高導電性を示す高密度膜が得られた。膜のこのような導電性は,ギ酸による還元雰囲気でさらに向上した。

シソーラス用語： *銅錯体 ,  *インク ,  密度 ,  *印刷 ,  濃度依存性 ,  *メタライゼーション ,  固体素子 ,  ナノ粒子 ,  結晶核形成 ,  脂肪族アミン ,  還元剤 ,  試薬 ,  前駆体 ,  成長 ,  *導電性 ,  *薄膜 ,  脂肪族カルボン酸 ,  FTIR分光法 ,  熱重量分析 ,  走査電子顕微鏡 ,  透過率 ,  粒度分布 ,  電気抵抗 ,  X線光電子分光法 ,  相転移 ,  第一アミン
準シソーラス用語： FE-SEM ,  キャッピング剤 ,  高密度 ,  電子デバイス ,  導電性インク ,  粒子成長

分類 (3件)： 第11族,第12族元素の錯体  (CE01050Y) ,  コロイド化学一般  (CB11010C) ,  インキ  (YJ02000N)

物質索引 (2件)： ギ酸 ,  ヘキシルアミン

タイトルに関連する用語 (6件)： Cu ,  錯体 ,  インク ,  進化 ,  高密度化 ,  アミン