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J-GLOBAL ID：201502212054175600   整理番号：15A0700511

高エネルギーα線を照射したn型ヒ化ガリウムの陽電子消滅測定

Positron annihilation measurements in high-energy alpha-irradiated n-type Gallium Arsenide

著者 (4件)： PAN Sandip (Visva-Bharati, Dep. of Physics, 731235, Santiniketan, West Bengal, IND) ,  MANDAL Arunava (Visva-Bharati, Dep. of Physics, 731235, Santiniketan, West Bengal, IND) ,  ROYCHOWDHURY Anirban (UGC-DAE Consortium for Scientific Res., Kolkata Centre, 700098, Kolkata, West Bengal, IND) ,  SENGUPTA Asmita (Visva-Bharati, Dep. of Physics, 731235, Santiniketan, West Bengal, IND)
資料名： Applied Physics. A. Materials Science & Processing  (Applied Physics. A. Materials Science & Processing)
巻： 120  号： 1  ページ： 221-227  発行年： 2015年07月 
JST資料番号： D0256C  ISSN： 0947-8396  CODEN： APHYCC  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 陽電子消滅寿命分光及びDoppler広がり消滅線形測定を40MeVのα粒子照射n型GaAsで行った。照射後試料を25~800°Cの範囲の各設定温度で30分間等時間アニールした。各アニールの後陽電子測定を室温で行った。放射線誘起欠陥及びアニールによるそれらの回復を調べた。照射試料の寿命スペクトルを二つの寿命にフィットした。照射後の室温における平均陽電子寿命τ_avg=244psは欠陥の存在を示し,室温におけるτ₂(262ps)は,欠陥は多分単一空格子点であることを示している。τ_avgの二つのアニールステージ200~600°C及び650~800°Cが観測された。25~800°Cの温度領域におけるアニールの間の線形パラメータ(S)及び欠陥特定パラメータ(R)はτ_avgの挙動をなぞり,400と800°Cの間の空格子点の移動,空格子点クラスタの形成及び欠陥の消滅を示した。Copyright 2015 Springer-Verlag Berlin Heidelberg Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： N型半導体 ,  *ヒ化ガリウム ,  化合物半導体 ,  *α線照射 ,  10-100MeV ,  *照射損傷 ,  スペクトロスコピー ,  *陽電子消滅 ,  *焼なまし ,  寿命 ,  *空格子点 ,  宇宙空間 ,  拡幅
準シソーラス用語： Dopplerブロードニング ,  陽電子寿命 ,  陽電子消滅寿命分光法

分類 (2件)： 半導体の放射線による構造と物性の変化  (BK16123E) ,  陽電子消滅  (BK16052L)

タイトルに関連する用語 (4件)： 高エネルギー ,  α線 ,  ヒ化ガリウム ,  陽電子消滅