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J-GLOBAL ID：201502212078524703   整理番号：15A0646582

二次元材料とトランジスタエレクトロニクスにおけるその展望

Two-dimensional materials and their prospects in transistor electronics

著者 (3件)： SCHWIERZ F. (Inst. fuer Mikro- und Nanoelektronik, Technische Universitaet Ilmenau, PF 100565, 98684 Ilmenau, Germany. ...) ,  PEZOLDT J. ,  GRANZNER R.
資料名： Nanoscale  (Nanoscale)
巻： 7  号： 18  ページ： 8261-8283  発行年： 2015年05月14日 
JST資料番号： W2323A  ISSN： 2040-3364  CODEN： NANOHL  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 過去十年間,二次元材料は,電子デバイス社会から信じられないほどの関心を引き寄せた。詳細に調査された最初の二次元材料は,2007年のグラフェンであり,電子デバイス,特にトランジスタの材料として集中的に調査された。グラフェントランジスタはまだ計画であるが,研究者はグラフェンを超える二次元材料に研究を広げ,試験下の二次元材料の数は最近実質的に爆発的に増えている。一方で,数百の異なる二次元材料が知られていて,それらの重要な部分はトランジスタに有用であるとみなされ,種々の二次元材料チャネルを持つ実験的トランジスタを実証した。この分野における急速な進展にもかかわらず,二次元トランジスタの展望はまだあいまいであり,楽観的な意見は評価を見合わせている。本文の目的は,トランジスタエレクトロニクス用の二次元材料の利点と欠点により多くの光を与えることであり,二次元トランジスタの展望についての進行中の議論に少し多い側面を加えることである。最後に,良好なトランジスタのチャネル材料の性質の希望表を作り,何がその表の基準を持たす二次元材料を伸ばすか調査した。最先端技術の二次元トランジスタを概観し,それらのデバイスの長所と短所の均衡のとれた考察を提供した。Copyright 2015 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST

シソーラス用語： 二次元 ,  グラフェン ,  *トランジスタ ,  電子技術 ,  レビュー
準シソーラス用語： エレクトロニクス ,  *グラフェントランジスタ ,  展望

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： 二次元材料 ,  トランジスタ ,  エレクトロニクス ,  展望