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J-GLOBAL ID:201502212098727849   整理番号:15A1038571

FeS2薄膜の電気化学的合成:過酸化物検知用とテレフタル酸分解用に効果的な材料

Electrochemical synthesis of FeS2 thin film: An effective material for peroxide sensing and terephthalic acid degradation
著者 (5件):
資料名:
巻: 646  ページ: 893-899  発行年: 2015年10月15日 
JST資料番号: D0083A  ISSN: 0925-8388  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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室温(25°C)でITO基板上にFeS2薄膜を電気化学的に合成した。ナノ構造FeS2薄膜につき,UV-Vis,X線回折(XRD),電界放射走査電子顕微鏡(FESEM)による確性を行なった。2プローブI-V測定によると,この材料はP型で,FeS2とITO層の間にPN接合(ダイオード)が形成されていることがわかった。サイクリックボルタンメトリーにより,FeS2/ITO電極は過酸化水素の還元を促進し,その検知に対し優れた電極触媒活性を示すことが示された。光触媒に関する研究の結果,合成した薄膜はテレフタル酸(TA)の分解にも効果を示すことが明らかになった。Copyright 2015 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.
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半導体薄膜 
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