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J-GLOBAL ID：201502212099657444   整理番号：15A0272496

二重壁カーボンナノチューブネットワークにおける金属的経路の選択的ブレークダウン

Selective Breakdown of Metallic Pathways in Double-Walled Carbon Nanotube Networks

著者 (7件)： NG Allen L. (Dep. of Chemistry and Biochemistry, Univ. of Maryland, Coll. Park, MD, 20742, USA) ,  SUN Yong ,  POWELL Lyndsey ,  SUN Chuan-Fu ,  CHEN Chien-Fu ,  LEE Cheng S. ,  WANG YuHuang
資料名： Small  (Small)
巻： 11  号： 1  ページ： 96-102  発行年： 2015年01月 
JST資料番号： W2348A  ISSN： 1613-6810  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 共有結合的に機能化した半導体二重壁カーボンナノチューブは驚異的特性を示し,それらの単一壁カーボンナンチューブ対応物を上回ることができる。電子的応用に対するそれらの可能性を利用するために金属的二重壁カーボンナノチューブを半導体から分離しなければならない。しかしながら,内壁は表面特性に依存する電流分離技術に接近できない。ここでは,混合電子型のネットワーク内の内及び外壁双方の金属的二重壁カーボンナノチューブの電気的ブレークダウンを通してこの挑戦を扱う最初のアプローチを記述した。完全な半導体は共有結合的機能化に応答して薄膜トランジスターにおけるオン状態導電率の~62%保持を実証した。金属的経路の選択的除去はON/OFF比を360倍から40700倍まで高く改善し,一方,同時に高いオン状態導電率を保持した。Copyright 2015 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *カーボンナノチューブ ,  *ナノ構造 ,  *絶縁破壊 ,  半導体素子 ,  共有結合 ,  表面性状 ,  薄膜トランジスタ ,  電気伝導率
準シソーラス用語： *二層カーボンナノチューブ

分類 (2件)： 炭素とその化合物  (YB02060D) ,  液体・固体中の放電  (BJ03030E)

タイトルに関連する用語 (4件)： 二重壁 ,  カーボンナノチューブ ,  経路 ,  ブレークダウン