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J-GLOBAL ID：201502212132102390   整理番号：15A0098131

Ku帯60WAlGaN/GaN内部整合電力H EMT【Powered by NICT】

Ku-band 60WAlGaN/GaN Internally Matched Power HEMT

著者 (5件)： Zhong Shichang (Nanjing Electronic Devices Inst., Sci. and Technol. on Monolithic Integrated Circuits and Modules Lab., Nanjing) ,  Chen Tangsheng (Nanjing Electronic Devices Inst., Sci. and Technol. on Monolithic Integrated Circuits and Modules Lab., Nanjing) ,  Qian Feng (Nanjing Electronic Devices Inst., Nanjing) ,  Chen Chen (Nanjing Electronic Devices Inst., Sci. and Technol. on Monolithic Integrated Circuits and Modules Lab., Nanjing) ,  Gao Tao (Nanjing Electronic Devices Inst., Nanjing)
資料名： Guti Dianzixue Yanjiu yu Jinzhan  (Guti Dianzixue Yanjiu yu Jinzhan)
巻： 34  号： 4  ページ： 350-353  発行年： 2014年 
JST資料番号： C2084A  ISSN： 1000-3819  CODEN： GDYJE2  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： Ku帯60W AlGaN/GaN内部マッチング技術を研究した。南京電気デバイス研究所で作製した二~10.8mmのGaN電力H EMTトランジスタを用いて,内部整合型トランジスタは14.0~14.5GHzのバンドを横切るapower利得6dB以上の60W以上のパルス出力を示し,ドレインバイアス電圧of28V運転でまたVdsof28V_(at)14.0GHz下PAEof33.1%と66Wの最大パルス出力を試験した。は完全にGaNパワーデバイスの利点を示した。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： マッチング ,  *窒化ガリウム ,  トランジスタ ,  パルス ,  ドレイン【半導体】
準シソーラス用語： *Kuバンド ,  *AlGaN/GaN ,  デバイス ,  バイアス電圧 ,  パワーデバイス , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： Ku帯 ,  GaN ,  整合 ,  EMT