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J-GLOBAL ID：201502212701930484   整理番号：15A0768144

高温に応用する炭素ケイ素の集積回路

Integrated circuits in silicon carbide for high-temperature applications

著者 (1件)： ZETTERLING Carl-Mikael (KTH Royal Inst. Technol., SWE)
資料名： MRS Bulletin  (MRS Bulletin)
巻： 40  号： 5  ページ： 431-438  発行年： 2015年05月 
JST資料番号： W1595A  ISSN： 0883-7694  CODEN： MRSBEA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： シリコンを使った市販の集積回路は最高の作動温度は225°Cに制限されている。これをCMOS,NMOS,BJT,JFET,MESFET,GaN技術に対する温度の限界と回路の限界を説明した。これら問題を解決するには炭化ケイ素の高温動作が有望である。用いる技術に応じて,SiCを使った集積回路を作成するとき,いくつか処理の挑戦的課題が存在する。バイポーラ,金属酸化物半導体電界効果トランジスタ,及び接合型電界効果トランジスタ技術によって,最高600°Cの動作温度が実証されている。SiCの集積回路を作製することと関係する現在の技術性能と処理の挑戦的課題を概説した。

シソーラス用語： *炭化ケイ素 ,  化合物半導体 ,  CMOS構造 ,  NMOS構造 ,  接合形FET ,  *MESFET ,  窒化ガリウム ,  温度 ,  *集積回路 ,  バイポーラトランジスタ ,  *MOSFET
準シソーラス用語： *JFET ,  動作温度

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (3件)： 応用 ,  炭素ケイ素 ,  集積回路