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J-GLOBAL ID：201502212731634120   整理番号：15A1184970

(BiSe)_1+δ(TiSe₂)_n複合物中のTiSe₂厚さの制御を通して電気特性を調製する

Tuning Electrical Properties through Control of TiSe₂ Thickness in (BiSe)_1+δ(TiSe₂)_n Compounds

著者 (7件)： WOOD Suzannah R. (Univ. Oregon, Oregon, USA) ,  MERRILL Devin R. (Univ. Oregon, Oregon, USA) ,  FALMBIGL Matthias (Univ. Oregon, Oregon, USA) ,  MOORE Daniel B. (Univ. Oregon, Oregon, USA) ,  DITTO Jeffrey (Univ. Oregon, Oregon, USA) ,  ESTERS Marco (Univ. Oregon, Oregon, USA) ,  JOHNSON David C. (Univ. Oregon, Oregon, USA)
資料名： Chemistry of Materials  (Chemistry of Materials)
巻： 27  号： 17  ページ： 6067-6076  発行年： 2015年09月08日 
JST資料番号： T0893A  ISSN： 0897-4756  CODEN： CMATEX  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 3種類の新しいヘテロ構造体,(BiSe)_1.14(TiSe₂)₂,(BiSe)_1.15(TiSe₂)₃,(BiSe)_1.14(TiSe₂)₄を合成し,その構造と電気特性を解析した。構成元素Bi,Ti,Seを,物理蒸着(PVD)法によって,ケイ素,あるいは,溶融シリカ基板上に堆積した後,200~400°Cの熱処理によって目的物を得た。ヘテロ構造体は,2層のBiSeと3層のTiSe₂を構成要素として含み,TiSe₂層が増加する毎に,c軸の格子定数が0.603(5)nm増加する。3種の合成物は,すべて金属的電導性を示し,電子が主なキャリアである。TiSe₂層が増加すると,キャリア濃度は減少するが,その移動度と有効質量は一定であった。

シソーラス用語： *ビスマス化合物 ,  *セレン化合物 ,  *チタン化合物 ,  *薄膜 ,  *電気特性 ,  *膜厚 ,  素子構造 ,  物理蒸着 ,  格子定数 ,  導電性 ,  キャリア移動度 ,  キャリア密度 ,  有効質量
準シソーラス用語： キャリア濃度 ,  ヘテロ構造 ,  電導性

分類 (1件)： 界面の電気的性質一般  (BM03081H)

タイトルに関連する用語 (4件)： 複合物 ,  厚さ ,  電気特性 ,  調製