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J-GLOBAL ID：201502212763835151   整理番号：15A0976285

光ルミネッセンスにより解明されたZnOナノロッド中の水素挙動の焼きなまし誘起変化

Annealing-induced change of hydrogen behavior in ZnO nanorods revealed by photoluminescence

著者 (3件)： TANG Haiping (Coll. of Mechanical Engineering, Baoji Univ. of Arts and Sciences, Baoji 721007, CHN) ,  LI Hui (Coll. of Materials Sci. and Engineering, Zhejiang Univ., Hangzhou 310027, CHN) ,  HE Haiping (Coll. of Materials Sci. and Engineering, Zhejiang Univ., Hangzhou 310027, CHN)
資料名： Materials Letters  (Materials Letters)
巻： 158  ページ： 80-83  発行年： 2015年11月01日 
JST資料番号： E0935A  ISSN： 0167-577X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 著者らは水熱成長したZnOナノロッドについて広範囲の光ルミネッセンス(PL)研究を行っってZnO材料中の水素不純物の役割を理解した。1223Kでの焼鈍しはZnOナノロッドのPL性質を,エキシトンと深い準位の発光の両方で非常に変える。焼鈍し後のZnO格子からHドナーに結合したエキシトンの抑制ならびに深い準位の発光は,ZnO格子からのHの除去を示唆する。深い順位の発光の時間依存挙動はV_Zn-H_n錯体の生成を示唆している。Copyright 2015 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *酸化亜鉛 ,  *ナノロッド ,  *水熱合成 ,  種結晶 ,  下層 ,  基板 ,  ケイ素 ,  酸化物 ,  薄膜 ,  パルスレーザ蒸着 ,  亜鉛化合物 ,  硝酸塩 ,  窒素複素環化合物 ,  酸素 ,  RTA【熱処理】 ,  *光ルミネセンス ,  *水素 ,  不純物 ,  *焼なまし ,  励起子 ,  深い準位 ,  発光 ,  半導体 ,  架橋化合物
準シソーラス用語： アニール ,  エキシトン ,  シード層 ,  パルスレーザ堆積 ,  酸化物薄膜 ,  硝酸亜鉛

分類 (3件)： 塩基,金属酸化物  (CD01030Z) ,  セラミック・陶磁器の製造  (YC03020V) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S)

物質索引 (1件)： ヘキサメチレンテトラミン

タイトルに関連する用語 (6件)： 光ルミネッセンス ,  ZnOナノロッド ,  水素 ,  挙動 ,  焼きなまし ,  誘起