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J-GLOBAL ID:201502212783085108   整理番号:15A1066222

アンドープ及びコバルトドープ窒化ガリウムナノ結晶の合成と光学特性評価

Synthesis and optical characterization of pure and cobalt doped gallium nitride nanocrystals
著者 (5件):
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巻: 26  号:ページ: 6068-6074  発行年: 2015年08月 
JST資料番号: W0003A  ISSN: 0957-4522  CODEN: JMTSAS  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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内因性及び外因性窒化ガリウム(GaN)ナノ構造は,そのサイズ調整可能な光物理的及び光化学的挙動のために,種々のスマート光電子デバイス作製する上で大きな関心を集めてきた。ここでは,Ga1-xCoxN(0≦x≦0.1)ナノ結晶を簡単なソルボサーマル法によって合成した。合成材料の結晶学的特性評価を粉末X線回折法を用いて行った。記録された回折パターンから,ウルツ鉱(六方晶)構造窒化ガリウムナノ結晶の形成が明らかになる。電子顕微鏡研究によって,合成ナノ材料の詳細なトポロジー及びモフォロジー解析を行った。記録された電子顕微鏡写真から,約4nmの平均サイズを持つほぼ単分散のナノ粒子の形成が示唆される。合成ナノ材料の定量的,定性的及び光学的研究のために,エネルギー分散型X線分光法,紫外可視吸収,Fourier変換赤外分光法,X線光電子分光法,定常状態エネルギー分解及び時間分解フォトルミネッセンス分光法のような分光法を選んだ。Copyright 2015 Springer Science+Business Media New York Translated from English into Japanese by JST.
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半導体の結晶成長 
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