文献

J-GLOBAL ID：201502212783732596   整理番号：15A1167709

界面修飾により製造した単一ゲートグラフェンp-n接合の光電流発生

Photocurrent generation of a single-gate graphene p-n junction fabricated by interfacial modification

著者 (5件)： WANG S (NTT Corp., Kanagawa, JPN) ,  SEKINE Y (NTT Corp., Kanagawa, JPN) ,  SUZUKI S (NTT Corp., Kanagawa, JPN) ,  MAEDA F (NTT Corp., Kanagawa, JPN) ,  HIBINO H (NTT Corp., Kanagawa, JPN)
資料名： Nanotechnology  (Nanotechnology)
巻： 26  号： 38  ページ： 385203,1-6  発行年： 2015年09月25日 
JST資料番号： W0108A  ISSN： 0957-4484  CODEN： NNOTER  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： グラフェンは広帯域の光吸収,非常に高いキャリア移動度,優れた機械的柔軟性などの特性を持ち,高性能の電子素子やフォトニック素子の候補材料である。本論文では,パターン形成したシラン自己組織化単分子膜(SAM)で修飾したグラフェンp-n接合FETにおける光電流発生を示した。作製したFETの空間光電流マップは大部分の光電流がp-n接合領域で発生し,純p及びnドープ領域で消滅することを明らかにした。また,p-n接合領域で発生した光電流はグラフェン/電極接合からの電流よりも遥かに大きく,SAM修飾したグラフェンp-n接合の高い光応答効率を示唆した。

シソーラス用語： 電流発生 ,  *光電流 ,  *グラフェン ,  *PN接合 ,  FET【トランジスタ】 ,  単分子層 ,  ドーピング ,  電子顕微鏡観察 ,  電気抵抗率 ,  電流電圧特性 ,  電圧 ,  光吸収 ,  キャリア移動度 ,  柔軟性 ,  シラン ,  界面
準シソーラス用語： グラフェンFET ,  ゲート電圧 ,  自己組織化単分子膜

分類 (2件)： 13-15族化合物を含まない半導体-半導体接合  (BM03083P) ,  ダイオード  (NC03050R)

タイトルに関連する用語 (6件)： 界面 ,  修飾 ,  ゲート ,  グラフェン ,  p-n接合 ,  光電流