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J-GLOBAL ID：201502212861118506   整理番号：15A1000355

磁気的配向による高性能高分子半導体の膜テクスチャーとキャリア輸送の効果的制御

Effective Controlling of Film Texture and Carrier Transport of a High-Performance Polymeric Semiconductor by Magnetic Alignment

著者 (6件)： PAN Guoxing ,  CHEN Fei (High Magnetic Field Lab. (HMFL), Chinese Acad. of Sci., Hefei, 230031, CHN) ,  HU Lin ,  ZHANG Kejun (Key Lab. of Materials Physics, Inst. of Solid State Physics, Chinese Acad. of Sci., Hefei, 230031, CHN) ,  DAI Jianming (Key Lab. of Materials Physics, Inst. of Solid State Physics, Chinese Acad. of Sci., Hefei, 230031, CHN) ,  ZHANG Fapei
資料名： Advanced Functional Materials  (Advanced Functional Materials)
巻： 25  号： 32  ページ： 5126-5133  発行年： 2015年08月 
JST資料番号： W1336A  ISSN： 1616-301X  CODEN： AFMDC6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 有機半導体の分子配向と構造規則化の制御は高性能電子デバイスを達成するために不可欠である。本研究では,優れた電子輸送体ポリ{[N,N′-ビス(2-オクチルドデシル)-1,4,5,8-ナフタレンジカルボキシイミド)-2,6-ジイル]-alt-5,5′-(2,2′-ビチオフェン)}(P(NDI2OD-T2))の大面積配向および規則化膜を,磁場中で改善された溶媒キャストにより達成した。微細組織評価は,P(NDI2OD-T2)のチェインバックボーンが膜中で印加磁場に沿って強く配向していることを明らかにした。異なる溶媒からキャストした高分子膜のシンクロトロン基X線回折分析をベースとして,それは溶液中で行われるP(NDI2OD-T2)の分子凝集が磁気的配向を開始し,最終的に膜のテクスチャーを決定するといった配向過程の支配機構を提案した。さらに,時間変調磁場技術を用いてバックボーンのπ-共役面の方位を効果的に制御し,そのためNDI2OD-T2のフェイスオン分子充填度が著しく向上された。磁場配向したNDI2OD-T2膜を基にした薄膜トランジスターは,大きい移動度異方性7に加え,非配向デバイスと比較して電子移動度にファクター4の向上を示した。Copyright 2015 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *高分子半導体 ,  交互共重合体 ,  *ポリチオフェン類 ,  *ポリアリーレン ,  製膜 ,  磁場効果 ,  分子配向 ,  配向秩序 ,  流延成形 ,  組織 ,  高分子膜 ,  キャリア移動度 ,  異方性

分類 (2件)： 有機化合物の薄膜  (BK14070L) ,  高分子固体の物理的性質  (CG02024U)

物質索引 (1件)： 2,7-ビス(2-オクチルドデシル)-4-(2,2′-ビチオフェン-5-イル)ベンゾ[lmn][3,8]フェナントロリン-1,3,6,8(2H,7H)-テトラオン

タイトルに関連する用語 (4件)： 磁気 ,  配向 ,  高分子半導体 ,  キャリア輸送