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J-GLOBAL ID：201502212900450858   整理番号：15A1185620

インバーストンネル磁気抵抗素子が切り拓く未来の論理演算動作

著者 (1件)： 磯上慎二 (福島工高専)
資料名： 電気評論  (Electrical Review)
巻： 100  号： 10  ページ： 75-78  発行年： 2015年10月10日 
JST資料番号： G0720A  ISSN： 0285-5860  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： インバースMTJ(強磁性トンネル接合素子)を使った論理演算回路の検討を行った。低消費電力化に有用な不揮発性を持つMTJを採用し,従来MTJとインバースMTJを各2個使い,それぞれ並列・直列に接続し,磁化固定層の磁化方向をそろえて配置した回路を構成した。2系統の外部磁場をバイナリー入力値とし,並列部分の分圧を出力値とし,真理値表を作成した結果,NORゲートに対応した動作を確認した。実際に回路を構成し検証した結果,NOR動作を確認した。また,2つのMTJの直並列の組み合わせは他に3通りあり,MTJと回路接続の入れ替えによりAND動作など4種類の演算動作が可能である。しかし,入力と出力に汎用性がないなど,現行のCMOSゲートとそのまま置換はできない問題がある。

シソーラス用語： *トンネル接合 ,  *磁気抵抗効果 ,  *TMR素子 ,  *論理演算 ,  論理回路 ,  消費電力 ,  省エネルギー ,  方向 ,  固定層 ,  表 ,  ゲート【半導体】
準シソーラス用語： MTJ ,  NORゲート ,  *インバーストンネル磁気抵抗素子 ,  *トンネル磁気抵抗素子 ,  演算回路 ,  *強磁性トンネル接合 ,  磁化方向 ,  真理値表 ,  低消費電力化

分類 (1件)： 論理回路  (NC05070B)

タイトルに関連する用語 (3件)： 磁気抵抗素子 ,  未来 ,  論理演算