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J-GLOBAL ID：201502212910909697   整理番号：15A1263537

欠陥のある単層カーボンナノチューブ表面への水素の吸着

Adsorption of hydrogen on single-walled carbon nanotubes with defects

著者 (2件)： GHOSH Sarbani (Dep. of Chemical Engineering, Indian Inst. of Technol., Kharagpur 721302, IND) ,  PADMANABHAN Venkat (Dep. of Chemical Engineering, Indian Inst. of Technol., Kharagpur 721302, IND)
資料名： Diamond and Related Materials  (Diamond and Related Materials)
巻： 59  ページ： 47-53  発行年： 2015年10月 
JST資料番号： W0498A  ISSN： 0925-9635  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 種々の欠陥のある単層カーボンナノチューブ(SWCNT)表面への水素吸着の分子動力学(MD)シミュレーションと密度汎関数理論(DFT)計算を発表する。ここではナノチューブの1環中に存在する炭素原子の数で特徴づけられる,欠陥の性質がSWCNTの水素吸着容量を決定する上で重要な役割を果たす。五及び八員環をもつStone-Wales欠陥を含むナノチューブはこのような欠陥のある環の数と共にさらに増大する最大水素吸着能力をもつことが分かった。ところが,五,三-五-八員環をもつ欠陥と五及び七員環をもつStone-Wales欠陥の存在は無欠陥ナノチューブに比べて欠陥のあるSWCNTの吸着能力を著しく減少させる。本研究の結果は文献にあるSWCNTの水素吸蔵能力との大きな相違はナノチューブ中に存在する欠陥の特質に起因するものであろうことを示している。DFT計算もまた吸着エネルギーがナノチューブの表面に存在する欠陥の特質と数だけでなく環の平衡構造にもまた依存するものであることを明らかにしている。Copyright 2015 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *単層カーボンナノチューブ ,  *格子欠陥 ,  *吸着 ,  表面 ,  *計算機シミュレーション ,  分子動力学 ,  密度汎関数法 ,  欠陥 ,  環状構造 ,  吸着エネルギー ,  分子構造 ,  結合エネルギー
準シソーラス用語： *Stone-Wales欠陥 ,  *吸着能力 ,  *水素吸着 ,  平衡構造

分類 (3件)： 炭素とその化合物  (YB02060D) ,  分子化合物  (CE02000C) ,  物理的手法を用いた吸着の研究  (CB12043P)

タイトルに関連する用語 (4件)： 欠陥 ,  単層カーボンナノチューブ ,  水素 ,  吸着