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J-GLOBAL ID：201502212959544910   整理番号：15A1119649

化学法によるNi-5%W基板上のGdドープCeO_2膜の作製【Powered by NICT】

Preparation of Gd Doped CeO_2 Films on Ni-5%W Substrate by a Chemical Method

著者 (6件)： Li Yingnan (Northeastern Univ., Shenyang) ,  Li Fenghua (Northeastern Univ., Shenyang) ,  Luo Qingwei (Northeastern Univ., Shenyang) ,  Fan Zhanguo (Northeastern Univ., Shenyang) ,  Li Chengshan (Northwest Inst. for Non-ferrous Metal Res., Xi’an) ,  Lu Yafeng (Northwest Inst. for Non-ferrous Metal Res., Xi’an)
資料名： Xiyou Jinshu Cailiao yu Gongcheng  (Xiyou Jinshu Cailiao yu Gongcheng)
巻： 44  号： 2  ページ： 443-446  発行年： 2015年 
JST資料番号： W0563A  ISSN： 1002-185X  CODEN： XJCGEA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： GdドープCeO_2膜を化学的方法でNi-5%W基板上に作製した。初期原料として酢酸セリウムと硝酸ガドリニウムは,4:1の金属イオンモル比とプロピオン酸に溶解し,被覆溶液の全金属イオン濃度は1.2mol/Lし,コーティング溶液が得られた。前駆体溶液はNi-5%W(001)単結晶基板上にスピンコートした。4%H_2/Ar雰囲気中1100°Cで焼成後,GdドープCeO_2膜は立方晶集合組織を形成した。X線回折(XRD)走査と走査電子顕微鏡(SEM)は,種々の回転速度で作製したCeO_2膜の結晶性と表面形態を調べるために用いた。3000min,60Sスピン船後カチオン濃度1.2mol/Lの前駆体溶液により,得られたCeO_2膜は1100°Cで二スピンと焼成後の高い結晶化,自由亀裂と立方晶集合組織を示した。Ce~(3+)は4%H_2/Ar雰囲気中でCe~(4+)に変えることができる。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 結晶度 ,  焼成 ,  金属イオン ,  走査 ,  立方晶系 ,  走査電子顕微鏡 ,  前駆体 ,  *ドーピング ,  集合組織 ,  回転数 ,  単結晶 ,  カチオン ,  脂肪酸
準シソーラス用語： 表面形態 ,  *化学法 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 変態組織,加工組織  (WB01030N) ,  セラミック・陶磁器の製造  (YC03020V)

物質索引 (1件)： プロピオン酸

タイトルに関連する用語 (5件)： 化学法 ,  Ni ,  Gd ,  ドープ ,  作製