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J-GLOBAL ID：201502212995224850   整理番号：15A1063446

ポリジメチルシロキサンと多重壁カーボンナノチューブから成る人工高分子半導体のショットキー接合

Schottky contact of an artificial polymer semiconductor composed of poly(dimethylsiloxane) and multiwall carbon nanotubes

著者 (3件)： ZHOU Yi (Tsinghua-Foxconn Nanotechnology Res. Center and Dep. of Physics, Tsinghua Univ., Beijing 100084, People’s Republic ...) ,  LIU Changhong ,  FAN Shoushan
資料名： Journal of Materials Chemistry A. Materials for Energy and Sustainability  (Journal of Materials Chemistry A. Materials for Energy and Sustainability)
巻： 3  号： 38  ページ： 19539-19544  発行年： 2015年10月14日 
JST資料番号： W0204B  ISSN： 2050-7488  CODEN： JMCAET  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 有機半導体は,低コスト,シンプルな合成および高い柔軟性のため,通常の無機半導体の魅力的な代替を提供することから大きな注目を集めている。本研究では,著者等は,多重壁カーボンナノチューブ(MWNT)を絶縁性ポリジメチルシロキサン(PDMS)ゴムに取込むことにより柔軟性有機半導体を作製し,金属/複合体接合の接触特性を調べた。結果は,接触特性は,複合体の金属およびMWNT負荷の仕事関数に大きく依存する明らかにした。重要なパラメータにより特性化される,銅/複合体接合の性能変化を解明するために,複合体の種々のMWNT負荷によるSchottky障壁高(SBH)を測定した。SBHはMWNT負荷の増加とともに減少し,0.35wt%複合体で0.783eVを超え,MWNT負荷の関数としての複合体Coulombバンドギャップの同様の変化傾向を示した。これらSBHの信頼性を確認するために,光起電力試験による光起電力の定量的解析を用いた。安定性試験は,複合体は室温において良好で耐久性のある性能を持つという,直接の証拠をもたらした。本研究は,金属/複合体接合の接触特性は,フレキシブルエレクトロニクスにおける複合体の利用において無視し得ないことを示した。Copyright 2015 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST

シソーラス用語： *ポリジメチルシロキサン ,  *多層カーボンナノチューブ ,  *高分子半導体 ,  *Schottky障壁 ,  *半導体金属接合 ,  有機半導体 ,  ゴム ,  *柔軟性 ,  負荷 ,  仕事関数 ,  Coulombポテンシャル ,  バンドギャップ ,  光起電力 ,  安定性 ,  複合体 ,  耐久性 ,  *電子技術 ,  銅 ,  アルミニウム
準シソーラス用語： *フレキシブルエレクトロニクス

分類 (3件)： 物理化学一般その他  (CB01030T) ,  半導体-金属接触  (BM03084G) ,  光伝導,光起電力  (BM03050J)

タイトルに関連する用語 (5件)： ポリジメチルシロキサン ,  多重壁カーボンナノチューブ ,  人工 ,  高分子半導体 ,  ショットキー接合