文献

J-GLOBAL ID：201502213045511726   整理番号：15A0540569

赤外フェムト秒レーザ直接描画により作製したナノ構造結晶ケイ素の熱電気的性質の調節

Tailoring thermoelectric properties of nanostructured crystal silicon fabricated by infrared femtosecond laser direct writing

著者 (6件)： MORI Masahiro (Dep. of Material Chemistry, Graduate School of Engineering, Kyoto Univ., Kyoto, 615-8510, JPN) ,  SHIMOTSUMA Yasuhiko ,  SEI Tomoaki ,  SAKAKURA Masaaki ,  MIURA Kiyotaka ,  UDONO Haruhiko
資料名： Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science  (Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science)
巻： 212  号： 4  ページ： 715-721  発行年： 2015年04月 
JST資料番号： D0774A  ISSN： 1862-6300  CODEN： PSSABA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 半導体内部の周期ナノ構造を二重パルス構成の赤外超短パルスレーザにより実現した。間接バンドギャップ半導体に限り半導体内の自己組織化ナノ構造を実験で誘起できた。幅が約100nmの歪んだSi領域は第一到達パルスの偏光方向に平行に自己整列し,二次到達パルスの偏光方向に依存しなかった。AFM観察は歪んだSiナノ構造が高い電気伝導率と低い熱伝導率を示すことを明らかにした。形成機構は電子正孔プラズマとフォノンの相互作用を通した静電力の観点から説明できると思われる。基本的理解とは別に,このようなナノ構造Siは自己完結した熱電素子の製作に扉を開くと思われる。Copyright 2015 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *レーザリソグラフィー ,  パルスレーザ照射 ,  赤外レーザ ,  *ナノ構造 ,  ケイ素 ,  *電気的性質 ,  半導体 ,  バンドギャップ ,  電子顕微鏡観察 ,  電気伝導率 ,  熱伝導率 ,  フォノン ,  電子正孔プラズマ ,  熱電素子
準シソーラス用語： *レーザ直接描画 ,  間接バンドギャップ ,  *熱電気的性質

分類 (1件)： 電気的性質  (WB02010Y)

タイトルに関連する用語 (8件)： 赤外 ,  フェムト秒レーザ ,  直接描画 ,  作製 ,  ナノ構造 ,  結晶ケイ素 ,  熱電気的性質 ,  調節