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J-GLOBAL ID:201502213059665522   整理番号:15A1210710

ドーピングとその応用タンデムOLEDデバイスにおけるを伴わない電荷発生層の構造設計【Powered by NICT】

Structure Design of Charge Generation Layer Without Doping and Its Application in Tandem OLED Devices
著者 (12件):
資料名:
巻: 36  号:ページ: 679-684  発行年: 2015年 
JST資料番号: W1380A  ISSN: 1000-7032  CODEN: FAXUEW  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 中国 (CHN)  言語: 中国語 (ZH)
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ドーピング:LiF/Al/C_(60)/m-MTDATAない新しい種類の電荷発生層(CGL)を本研究で報告した,一連のタンデムOLED(有機発光ダイオード(TOLED)をこの新しいCGLを用いて作製した。TOLEDは48.4cd/Aの最大電流効率と参照デバイスと比較して2.95と1.65倍に増加した19.4lm/Wの電力効率をそれぞれ示した。もいくつかのCGLs逆デバイスを構築し,新しいCGL上のC(60)とAl膜の厚さとAlの蒸発比の影響を調べることによって,CGLにおける電荷発生と解離機構を明らかにした。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【Powered by NICT】
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分類 (2件):
分類
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発光素子  ,  無機化合物のルミネセンス 

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