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J-GLOBAL ID:201502213073286666   整理番号:15A1210658

nc-Siにおける真性シリコン不動態化層の最適化::H/c-Siヘテロ接合太陽電池【Powered by NICT】

Optimization of Intrinsic Silicon Passivation Layers in nc-Si:H/c-Si Silicon Heterojunction Solar Cells
著者 (7件):
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巻: 31  号:ページ: 1207-1214  発行年: 2015年 
JST資料番号: W0391A  ISSN: 1000-6818  CODEN: WHXUEU  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 中国 (CHN)  言語: 中国語 (ZH)
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一連の真性シリコン薄膜の低温,低パワー密度でのラジオ周波数プラズマ増強化学蒸着(RF-PECVD)を用いて調製した。構造,光学的および電気的特性に及ぼすシラン濃度(C_S)の影響,および真性シリコン膜の不動態化品質,水素化ナノ結晶シリコン/結晶シリコン(nc-Si:H/ c-Si)シリコンヘテロ接合(SHJ)太陽電池の性能を調べた。結果は,シラン濃度の減少に伴って,結晶の体積分率,水素濃度,構造因子,光学バンドギャップ,および膜の光感度における実質的な変化は遷移領域で発生することを示した。真性シリコン薄膜の不動態化品質は膜の水素含有量と結合構造により決定される。遷移帯に近い膜は良好なコンパクト性と感光性,高い水素含有量,及び低状態密度を示し,豊富なSiH結合を含んでいる。膜は,c-Si表面の優れた不動態化を提供し,nc-Si:H/c-Si SHJ太陽電池の開路電圧を著しく高めた。しかし,膜が薄すぎる時に不動態化品質が著しく劣化する。本研究では,最適シラン濃度は6%(モル分率)であることが分かった。C_S=6%での不動態化層の膜厚を最適化することにより,672mVの開回路電圧でnc-Si:H/c-Si SHJ太陽電池,短絡電流密度35.1mA cm~(-2),0.73の曲線因子,および17.3%の効率を得た。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【Powered by NICT】
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分類 (1件):
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化学一般その他 

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