文献

J-GLOBAL ID：201502213286796200   整理番号：15A1304495

ボロンドープポリダイヤ電界効果トランジスタセンサの終端制御による水素イオン感度制御

著者 (4件)： 新谷幸弘 (横河電機) ,  新谷幸弘 (早稲田大 理工) ,  小河晃太朗 (横河電機) ,  川原田洋 (早稲田大 理工)
資料名： 日本分析化学会年会講演要旨集  (分析化学講演要旨集)
巻： 64th  ページ： 205  発行年： 2015年08月26日 
JST資料番号： G0563B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： ダイヤモンド ,  多結晶 ,  化学蒸着 ,  蒸着膜 ,  *FET【トランジスタ】 ,  半導体素子 ,  *pHセンサ ,  端部 ,  フッ素 ,  末端基 ,  応答特性 ,  CVDダイヤモンド ,  ボロンドープダイヤモンド ,  水素終端 ,  多結晶ダイヤモンド ,  半導体センサ ,  酸素終端化 ,  鉱石 ,  宝石 ,  *センサ
準シソーラス用語： イオン感応性FET ,  酸素終端

分類 (2件)： 分析機器  (CC02020S) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： 電界効果トランジスタ ,  終端 ,  水素イオン ,  感度